公开(公告)号：CN119546176A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411589467.4

申请日：2024-11-08

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  李建华 ,  高瑞祥 ,  蔡平 ,  谭振强 ,  李海鸥 ,  陈赞辉 ,  邓兴 ,  张法碧

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明涉及忆阻器技术领域，具体涉及一种复合材料忆阻器及其制备方法，具体在FTO玻璃基底上依次涂覆聚乙烯醇与Ti3C2Tx复合材料薄膜、氧化锆薄膜，再将银顶电极沉积在氧化锆薄膜上形成四层垂直结构。本发明专为神经形态计算系统设计，以模拟生物突触的可塑性。经试验证实，本发明实现了电压幅度调制精度高达0.1V，确保了对突触权重的精确控制，同时表现出高塑性，能够快速学习和适应变化的输入条件，具有超过5×104秒的优异保持特性和超过200次IV扫描循环的可靠性，解决了现有忆阻器在模拟生物突触功能时存在的电压调制精度、可塑性、以及长期稳定性方面性能不足问题。

公开(公告)号：CN119744114A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411865412.1

申请日：2024-12-18

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  谭振强 ,  李建华 ,  李海鸥 ,  陈赞辉 ,  邓兴 ,  张法碧

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件与工艺技术领域，具体涉及一种基于二维材料的异质结忆阻器及其制备方法，器件结构自下而上包括衬底、底电极层、金属封盖层、二维材料层、硅层、氧化物层和顶电极层。所述二维材料层直接原位生长在所述金属封盖层之上，与制备二维材料器件常用的转移法相比，避免了操作步骤繁琐和杂质污染问题，具有工艺简便性、通用性和高集成性。利用所述二维材料层、所述硅层与所述氧化物层所具有的不同离子迁移速率，引导导电细丝的形成和熔断都局域在二维材料层与硅层的界面附近，使得忆阻器具有优异的电学性能。此外，该器件还能有效模拟神经突触的特性，有助于实现开关速度快、高集成度、高稳定性和低功耗的人工突触器件。