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公开(公告)号：CN112730337A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011457821.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/55
Abstract: 本发明为涉及纳米集成光学技术领域的一种可见光区可调谐超窄带法诺共振等离子体传感器。其特征是：本发明整体首先在介质基板上生长一层波导层，然后在波导层上生长周期排列的格点阵列，该阵列由金属‑介质‑波导‑基底(从上到下)组成。上述可调谐法诺共振传感器性能优越，在共振峰处拥有及窄的线宽以及有着极高的振幅灵敏度。该特点可用来应用于生物传感、窄带滤波以及纳米激光等光学器件，在光通信等领域具有巨大的应用价值。
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