公开(公告)号：CN116755256A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310513857.2

申请日：2023-05-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘厚权 ,  蔡正传 ,  焦雨菡 ,  苑立波

IPC: G02B27/09 ,  G02B5/00 ,  G02B6/255 ,  G02B6/26 ,  G02B27/00 ,  G02B6/25 ,  G02B21/00

Abstract: 本发明提供的是一种全光纤旁瓣抑制的无衍射超振荡光场生成器件。其特征是：它由单模光纤(1)、多模光纤(2)、金属薄膜(3)和纳米花瓣结构(4)组成。所述多模光纤(2)熔接在所述单模光纤(1)上，起对单模光纤(1)纤芯中的传输光场扩束的作用。所述金属薄膜(3)镀在所述多模光纤(2)的端面上。所述纳米花瓣结构(4)刻蚀在所述金属薄膜(3)上。经过多模光纤(2)扩束的传输光场照射在纳米花瓣结构(4)上能够激发等离子体波，该等离子体波再通过纳米花瓣结构(4)辐射输出，产生具有旁瓣抑制的无衍射超振荡光场。本发明在光纤端面可获得旁瓣抑制的无衍射超振荡光场，属于光纤微结构器件技术领域。

公开(公告)号：CN117031764A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310513715.6

申请日：2023-05-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘厚权 ,  蔡正传 ,  苑立波

IPC: G02B27/09 ,  G02B5/00 ,  G02B6/255 ,  G02B6/26 ,  G02B27/00 ,  G02B21/06

Abstract: 本发明提供的是一种全光纤突破衍射极限的无衍射光束生成器件。其特征是：它由单模光纤(1)、多模光纤(2)、金属薄膜(3)和纳米环形槽(4)组成。所述多模光纤(2)熔接在所述单模光纤(1)上，起对单模光纤(1)纤芯中的传输光场扩束的作用。所述金属薄膜(3)镀在所述多模光纤(2)的端面上。所述纳米环形槽(4)刻蚀在所述金属薄膜(3)上。经过多模光纤(2)扩束的传输光场照射在纳米环形槽(4)上能够激发等离子体波，该等离子体波随后再通过纳米环形槽(4)辐射输出，产生突破衍射极限的无衍射光束。本发明在光纤端面可获得突破衍射极限的远场无衍射光场，属于光纤微结构器件技术领域。