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公开(公告)号：CN117079982A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311212932.8
申请日：2023-09-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种碳量子点嵌入的氮掺杂多孔碳片材料及其在超级电容器中的应用，属于碳材料技术领域。本发明的碳材料的制备方法为：(1)将硝酸铜溶液加入邻苯二胺溶液中，混合均匀后搅拌，经离心、洗涤和真空干燥之后，得到聚邻苯二胺片；(2)将邻苯二胺与无水甲醇进行混合，经过水热反应，得到碳量子点溶液；(3)将碳量子点溶液与聚邻苯二胺片进行混合，经高温碳化，冷却至室温，得到碳量子点嵌入的氮掺杂多孔碳片材料。本发明先将邻苯二胺氧化聚合为聚邻苯二胺片，再与碳量子点溶液混合后，经过高温碳化，得到具有许多活性位点的碳材料，大大提高碳材料的电子导电性，将该材料应用于超级电容器中，对超级电容器的性能起到显著的促进作用。
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公开(公告)号：CN115094378A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210659042.0
申请日：2022-06-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多层复合ITO薄膜，所述多层复合ITO薄膜包括两ITO层和一M层，其中所述M层位于两ITO层之间，M层的In含量为≥In2O3中In含量的含In层，以保障M层与两层ITO层之间相互结合的稳定性而保障所述多层复合ITO薄膜的结构稳定性；所述M层具有8nm～16nm的厚度，M层并与两层ITO层具有200nm～600nm的总厚度，以保障所述多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。
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公开(公告)号：CN119943587A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510116360.6
申请日：2025-01-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种纸片超级电容器及其制备方法，属于电化学能源技术领域。本发明以纸片作为超级电容器的支架，在纸片内部微观结构上构建疏水层后，将凝胶电解质、正极活性材料、负极活性材料、正极集流体和负极集流体所有组件垂直分布纸片的指定区域，得到纸片超级电容器。所述纸片超级电容器的制备方法包括以下技术步骤：(1)构建疏水层；(2)引入凝胶电解质；(3)喷涂活性材料浆料。本发明的纸片超级电容器充分利用纸片多孔结构，减少器件元件，便于进行图案化设计和异结构制作，能够提升能量密度，解决了传统柔性超级电容器器件尺寸厚、元器件多、灵活性差以及能量密度低等问题。
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公开(公告)号：CN117265861A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311181786.7
申请日：2023-09-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: D06M11/38 , H01L33/50 , D06M13/144 , C08G73/02 , D01F6/76 , C09K11/06 , D06M101/30
Abstract: 本发明公开一种一维多色荧光纤维材料及其在LED中的应用，属于荧光材料技术领域。本发明的制备为：(1)在邻苯二胺溶液中加入HCl溶液，将所得溶液加入NaCl溶液中，充分混合，然后快速加入H2O2溶液，再次充分混合，经静置、离心、洗涤和干燥，得到纯净的聚邻苯二胺纤维；(2)将聚邻苯二胺纤维加入NaOH溶液或者乙醇溶液或者是二者的混合溶液中，充分混合并振荡，经洗涤，得到一维多色荧光纤维材料。本发明以双氧水作为氧化剂，将邻苯二胺氧化聚合为均匀的聚邻苯二胺纤维，然后通过OH‑/‑OH协同方案，成功实现荧光发射波长的可控调节。将材料应用于组装成LED后，可实现不同颜色的发光，这将有助于纳米电子学和纳米光子学的应用，拓展了多色光纤的研究领域。
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公开(公告)号：CN115073165B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210690327.0
申请日：2022-06-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种巨介电常数BaTiO3陶瓷及制备方法，所述BaTiO3陶瓷在结构中具有Vo··‑2Ti′Ti缺陷构型，所述制备方法包括：(1)将20‑200nm尺寸的BaTiO3粉体压制成陶瓷生坯；(2)在还原气氛的混合气体条件下烧结，所述混合气体由0.5‑5％的还原性气体和95‑99.5％的惰性气体组成；(3)在温度1150‑1400℃下烧结，保温时间0.5‑4小时。本发明提供了一种获得巨介电常数BaTiO3陶瓷材料的新方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115995349A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211706004.2
申请日：2022-12-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MoS2/Co LDHs材料的制备方法及在超级电容器中的应用，本方法是通过一步共沉淀法在二硫化钼基体上原位生长金属氢氧化物，Co LDHs通过ZIF‑67制备方案改良合成，具有原子厚度、丰富氧空位和三维多孔结构层状，具有开放配位的边缘形成了更多的活性中心，同时提高了电子电导率。提供了大比表面积的多孔结构，进一步提高了复合材料的导电性能，并有效改善二硫化钼易团聚、易塌陷的缺陷。本发明方法操作简便有效，合成成本低，具有可观的商业价值。
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公开(公告)号：CN115074666A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210659052.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种多层复合ITO薄膜的制备方法，所述多层复合ITO薄膜包括以氩气为工作气体，在1Pa～2Pa的腔压环境，通过磁控溅射方式在一基片上溅射的一层ITO层；并以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在ITO层上溅射的一层M层，其中M层为In含量≥In2O3中In含量的含In层；以及以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在M层上溅射的另一层ITO层，其中对两层ITO层和M层的溅射满足所述M层具有8nm～16nm的厚度，并与两层ITO层具有200nm～600nm的总厚度，以保障多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。
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公开(公告)号：CN115074666B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210659052.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种多层复合ITO薄膜的制备方法，所述多层复合ITO薄膜包括以氩气为工作气体，在1Pa～2Pa的腔压环境，通过磁控溅射方式在一基片上溅射的一层ITO层；并以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在ITO层上溅射的一层M层，其中M层为In含量≥In2O3中In含量的含In层；以及以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在M层上溅射的另一层ITO层，其中对两层ITO层和M层的溅射满足所述M层具有8nm～16nm的厚度，并与两层ITO层具有200nm～600nm的总厚度，以保障多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。
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公开(公告)号：CN116053054A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211705330.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种镍掺杂钼酸锰包覆二硫化钼材料的制备方法及应用，本方法是通过在二硫化钼基体上原位生长金属氧化物前驱体，然后通过煅烧得到目标产物，避免使用粘结剂，从而提高了该复合材料的导电性，弥补了二硫化钼材料易团聚的缺陷；同时采用了镍原子的共掺杂与二硫化钼进行复合，镍原子提供了更多的活性位点，改善了离子电导率，从而提高电极的赝电容，使其发挥出双金属氧化物自身的高电容和高效的循环稳定性的优势，本方法采用常规设备、成本低、资源丰富、环境友好、操作过程简单高效，有利于产业化生产。
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公开(公告)号：CN118530461A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410433620.8
申请日：2024-04-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C08G83/00 , B01J31/18 , B01J35/40 , B01J35/61 , H01G11/36 , H01G11/24 , H01G11/86 , H01M4/36 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01M4/587 , H01M4/60
Abstract: 本发明公开了一种ZIF‑67衍生超薄二维碳纳米片的制备方法，所述方法包括：（1）将双氧水加入醇类溶剂中，得到溶液A；将钴盐溶于醇类溶剂中，得到溶液B；将2‑甲基咪唑溶于溶液A中，得到溶液C；双氧水与醇类溶剂的体积比为（0.5~4）：（9.5~6）。（2）将经搅拌处理后的溶液B滴加入溶液C中得到混合溶液，控制钴盐与2‑甲基咪唑的质量比为1：（0.8~1.5）；继续搅拌，将十八烷基二甲基羟乙基季铵硝酸盐滴入搅拌中的混合溶液，干燥后得到ZIF‑67衍生超薄二维碳纳米片。本发明应用于超级电容器和锂电池电极材料方面，具有优越的电子转移特性，电解质和电极之间的界面更加清晰，能确保沿二维基面上的快速电荷转移，提高催化性能。
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