公开(公告)号：CN115414941B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202210926849.6

申请日：2022-08-03

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 钟燕 ,  黄涛 ,  胡朝浩 ,  王殿辉 ,  桑湉

IPC: B01J23/78 ,  B01J35/00 ,  C02F1/30 ,  C02F101/36

Abstract: 本发明公开了一种含铜空位和氧空位的金属氧化物材料及其制备方法和应用。本发明所述材料的化学式为SrCu2‑x□xO2‑y□y，0＜x＜2，0＜y＜2，更为具体的，该材料为SrCu1.88□0.12O1.94□0.06，其带隙为1.94eV。本发明所述材料是将锶源和铜源在分散剂存在的条件下研磨后置于保护气氛中进行煅烧而得。本发明所述材料较常规三元氧化物SrCu2O2具有更小的带隙，其中含有的铜空位和氧空位增加了活性位点的数量，进一步提高了材料的光催化活性。申请人的试验结果也表明，该金属氧化物在可见光照射下对抗生素的降解具有优良的催化活性，显著高于TiO2。

公开(公告)号：CN115414941A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202210926849.6

申请日：2022-08-03

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 钟燕 ,  黄涛 ,  胡朝浩 ,  王殿辉 ,  桑湉

IPC: B01J23/78 ,  B01J35/00 ,  C02F1/30 ,  C02F101/36

Abstract: 本发明公开了一种含铜空位和氧空位的金属氧化物材料及其制备方法和应用。本发明所述材料的化学式为SrCu2‑x□xO2‑y□y，0＜x＜2，0＜y＜2，更为具体的，该材料为SrCu1.88□0.12O1.94□0.06，其带隙为1.94eV。本发明所述材料是将锶源和铜源在分散剂存在的条件下研磨后置于保护气氛中进行煅烧而得。本发明所述材料较常规三元氧化物SrCu2O2具有更小的带隙，其中含有的铜空位和氧空位增加了活性位点的数量，进一步提高了材料的光催化活性。申请人的试验结果也表明，该金属氧化物在可见光照射下对抗生素的降解具有优良的催化活性，显著高于TiO2。