公开(公告)号：CN119954503A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510140295.0

申请日：2025-02-08

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 钟燕 ,  苏棋威 ,  杨心怡 ,  戎茂华 ,  曾炳森 ,  熊章怡

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种具有高介电常数的铁酸铋‑钛酸钡基压电陶瓷及其制备方法，该压电陶瓷的化学通式为[(1‑x)(0.68Bi1.02FeO3‑0.32BaTiO3)+xBa0.6Sr0.4TiO3]+yBi(Zn0.5Ti0.5)O3+mLi2CO3+nMnO2，0 990、Tc>400℃、在T>300℃时d33>400pC/N、最高实时工作温度Tdr>320℃，表明其可在300℃以上的高温条件下使用。

公开(公告)号：CN118637901A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410812859.6

申请日：2024-06-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨心怡 ,  陈巧红 ,  黄凤好 ,  邱少鸿 ,  侯雨欣 ,  罗枫 ,  潘晓梦

IPC: C04B35/26 ,  H10N30/853 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种具有高温热稳定性及高压电性能的BF‑BT‑BKT无铅压电陶瓷的制备方法，所述陶瓷组成通式为：(1‑x)Bi1.02FeO3‑xBaTiO3‑y(Bi0.5K0.5)TiO3+mLi2CO3+nMnO2，其中x、y、m和n表示组分的摩尔分数，并且0.25

公开(公告)号：CN115073160A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210912506.4

申请日：2022-07-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨心怡 ,  杨华斌 ,  陈巧红 ,  王雪婷 ,  关士博

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 一种具有微纳米电畴结构、高使用温区的高性能铁酸铋‑钛酸钡陶瓷及其热压烧结制备方法，其组成通式为：(1‑u)BiFe1‑xGaxO3‑uBaTiO3+0.35mol%MnCO3+nCuO+pBi(Ti1/2Zn1/2)O3+mLi2CO3+yBi(Zn2/3Nb1/3)O3，其中u、x、n、p、m和y表示摩尔分数，Li2CO3和CuO为低温烧结助剂，且0.20≤u≤0.45，0≤x≤0.05，0≤n≤0.01，0＜p≤0.20，0＜m≤0.01，0≤y≤0.02。本发明利用烧结助剂和热压反复“捶打”工艺，降低了烧结温度，减少了Bi元素的挥发和降低了晶格缺陷浓度，提高了陶瓷的致密度，大幅降低了该体系的介电损耗。利用驰豫铁电材料Bi(Zn2/3Nb1/3)O3减小了陶瓷的电畴尺寸，提高了陶瓷的压电性能；利用Bi(Ti0.5Zn0.5)O3提高了陶瓷的居里温度，提高了陶瓷在高温下的温度稳定性，最高使用温度可达到350℃以上。

公开(公告)号：CN115073160B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202210912506.4

申请日：2022-07-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨心怡 ,  杨华斌 ,  陈巧红 ,  王雪婷 ,  关士博

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 一种具有微纳米电畴结构的铁酸铋‑钛酸钡陶瓷的热压烧结制备方法，其组成通式为：(1‑u)BiFe1‑xGaxO3‑uBaTiO3+0.35mol%MnCO3+nCuO+pBi(Ti1/2Zn1/2)O3+mLi2CO3+yBi(Zn2/3Nb1/3)O3，其中u、x、n、p、m和y表示摩尔分数，Li2CO3和CuO为低温烧结助剂，且0.20≤u≤0.45，0≤x≤0.05，0≤n≤0.01，0＜p≤0.20，0＜m≤0.01，0≤y≤0.02。本发明利用烧结助剂和热压反复“捶打”工艺，降低了烧结温度，减少了Bi元素的挥发和降低了晶格缺陷浓度，提高了陶瓷的致密度，大幅降低了该体系的介电损耗。利用驰豫铁电材料Bi(Zn2/3Nb1/3)O3减小了陶瓷的电畴尺寸，提高了陶瓷的压电性能；利用Bi(Ti0.5Zn0.5)O3提高了陶瓷的居里温度，提高了陶瓷在高温下的温度稳定性，最高使用温度可达到350℃以上。

公开(公告)号：CN115073159A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210912495.X

申请日：2022-07-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈巧红 ,  杨心怡 ,  杨华斌 ,  关士博 ,  王雪婷

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明公开了一种具有高居里温度及高压电性能的铁酸铋‑钛酸钡陶瓷及其低温含氧热压烧结制备方法，所述陶瓷的组成通式为：(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3+1.0mol%MnCO3+xmol%(Bi0.5Na0.25Li0.25)TiO3+ymol%Ba(W1/2Cu1/2)O3+zmol%B2O3，其中u、x、y和z表示摩尔分数，(Bi0.5Na0.25Li0.25)TiO3、Ba(W0.5Cu0.5)O3及B2O3为低温烧结助剂，且0.20≤u≤0.45，0＜x≤2.0，0≤y≤5.0，0≤z≤5.0。本方法通过添加烧结助剂，可在820℃‑920℃及25Mpa压力、在含氧气氛下条件下热压烧结成瓷。本发明降低了铁酸铋‑钛酸钡陶瓷的烧结温度、减少了Bi元素的挥发、提高了陶瓷的致密度和降低了陶瓷的介电损耗，获得了高压电性能、高居里温度及低介电损耗的无铅压电陶瓷。

公开(公告)号：CN115073159B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202210912495.X

申请日：2022-07-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈巧红 ,  杨心怡 ,  杨华斌 ,  关士博 ,  王雪婷

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明公开了一种具有高居里温度及高压电性能的铁酸铋‑钛酸钡陶瓷及其低温含氧热压烧结制备方法，所述陶瓷的组成通式为：(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3+1.0mol%MnCO3+xmol%(Bi0.5Na0.25Li0.25)TiO3+ymol%Ba(W1/2Cu1/2)O3+zmol%B2O3，其中u、x、y和z表示摩尔分数，(Bi0.5Na0.25Li0.25)TiO3、Ba(W0.5Cu0.5)O3及B2O3为低温烧结助剂，且0.20≤u≤0.45，0＜x≤2.0，0≤y≤5.0，0≤z≤5.0。本方法通过添加烧结助剂，可在820℃‑920℃及25Mpa压力、在含氧气氛下条件下热压烧结成瓷。本发明降低了铁酸铋‑钛酸钡陶瓷的烧结温度、减少了Bi元素的挥发、提高了陶瓷的致密度和降低了陶瓷的介电损耗，获得了高压电性能、高居里温度及低介电损耗的无铅压电陶瓷。