公开(公告)号：CN103345997A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310262113.4

申请日：2013-06-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  李吉乐 ,  张小文 ,  袁昌来 ,  杨云

IPC: H01C17/30 ,  H01C7/12 ,  C04B35/453 ,  C04B35/22 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高电位梯度ZnO基压敏瓷料及其制备方法，该瓷料组分包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Cr2O3和Dy2O3。压敏瓷的化学式为:aZnO.bBi2O3.cSb2O3.dCo2O3.eMnO2.fCr2O3.gDy2O3，其中；a＋b＋c＋d+e＋f+g=1，各组分的摩尔比分别是：0.95≤a≤0.97，b=0.007，c=0.01，d=0.008，e=f=0.005，0.004≤g≤0.008。按照化学式称量配料，然后在球磨机中混匀、干燥、压片、烧结而成。本发明的高电位梯度ZnO压敏陶瓷有望应用于超高压电力系统的避雷器及电力系统的过压保护中。