公开(公告)号：CN116504545A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310580036.0

申请日：2023-05-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 向翠丽 ,  曲静远 ,  邹勇进 ,  徐芬 ,  孙立贤

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  H01G11/26 ,  H01G11/24

Abstract: 本发明公开了一种NiFe‑Se/PDA/NiMn‑Se，首先，采用室温沉淀法制备200nm的纳米立方体结构NiFe‑PBA作为一级结构；然后，通过自聚包覆处理，在NiFe‑PBA一级结构表面包覆PDA制备250nm的NiFe‑PBA/PDA作为二级结构，增强一级结构的抗腐蚀能力和增大比表面积；之后，通过静置吸附处理，在NiFe‑PBA/PDA表面负载NiMn‑LDH制备250‑280nm的NiFe‑PBA/PDA/NiMn‑LDH作为三级结构，提高离子传输速率和进一步增大比表面积；最后，采用溶剂热法，对NiFe‑PBA/PDA/NiMn‑LDH进行硒化处理即可制得250‑280nm的NiFe‑Se/PDA/NiMn‑Se，硒化处理所起作用为获得FeSe2、Ni3Se4及MnSe2，从而增加氧化还原活性位点、提升电导率和提升赝电容。作为超级电容器电极材料的应用，比电容为1400‑1500F/g；在8000次循环后，循环稳定性为80％。