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公开(公告)号：CN102381874B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201110215700.9
申请日：2011-07-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , H01B3/12
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧微波介质陶瓷材料及其制备方法，该材料包括主要粉料Li2ZnTi3O8、辅助成分TiO2及低熔点LZB或LBS玻璃粉，TiO2和玻璃粉以粉末形式加入到Li2ZnTi3O8粉体中，然后在球磨机中混匀、干燥、造粒、烧结制成。材料的配比是以Li2ZnTi3O8粉体为基准，按照玻璃粉占Li2ZnTi3O8质量的0.5～3wt%，TiO2粉体占Li2ZnTi3O8质量的0～5wt%进行配料。通过传统固相反应法，即可得到本发明材料。本发明制备的低温共烧微波介质陶瓷，其烧结温度低（875℃左右），微波介电性能优良，与Ag电极共烧良好，可以采用高导电率、低成本的纯银作为电极材料，可极大地降低器件的制造成本，可用于低温共烧陶瓷（LTCC）系统、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
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公开(公告)号：CN102381874A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110215700.9
申请日：2011-07-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , H01B3/12
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧微波介质陶瓷材料及其制备方法，该材料包括主要粉料Li2ZnTi3O8、辅助成分TiO2及低熔点LZB或LBS玻璃粉，TiO2和玻璃粉以粉末形式加入到Li2ZnTi3O8粉体中，然后在球磨机中混匀、干燥、造粒、烧结制成。材料的配比是以Li2ZnTi3O8粉体为基准，按照玻璃粉占Li2ZnTi3O8质量的0.5～3wt%，TiO2粉体占Li2ZnTi3O8质量的0～5wt%进行配料。通过传统固相反应法，即可得到本发明材料。本发明制备的低温共烧微波介质陶瓷，其烧结温度低（875℃左右），微波介电性能优良，与Ag电极共烧良好，可以采用高导电率、低成本的纯银作为电极材料，可极大地降低器件的制造成本，可用于低温共烧陶瓷（LTCC）系统、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
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公开(公告)号：CN103553338B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310473495.5
申请日：2013-10-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C03C10/02
Abstract: 本发明涉及一种高储能的硼酸盐微晶玻璃介质材料及其制备方法，其制备方法是以SrCO3、BaCO3、Nb2O5、H3BO3为主要起始原料，掺杂不同含量SrF2和Gd2O3，按照设定的组成配料，配合料经湿法球磨混匀、烘干，然后在1350℃熔化保温30-60min熔化成均匀的玻璃液，再经快速成型、退火得到高致密度、无气孔的均匀基础玻璃，然后基础玻璃在一定温度下晶化热处理得到微晶玻璃电介质材料。由该方法制备微晶玻璃材料的介电常数30-136可调，直流击穿强度879-1210kV/cm可调，储能密度最高达6.94J/cm3，可用于各种高储能密度及超高压电容器的制造。
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公开(公告)号：CN102358698A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110215706.6
申请日：2011-07-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种中介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法，将纯度大于99%的CaCO3、(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O、TiO2、La2O3和Nb2O5的原始粉末按照化学式Ca4La2Ti5-x(Mg1/3Nb2/3)xO17，其中0≤x≤4配料；湿式球磨混合12～24h，溶剂为无水乙醇，烘干后在1300℃空气气氛中预烧4～6h，然后在预烧粉末中添加3%聚乙烯醇（PVA）水溶液，混合、烘干，过100目筛造粒后，再在100MPa下压成圆柱状样品，最后在1480～1560℃空气气氛中烧结4h而成。本发明微波介电陶瓷高频介电常数εr达34～72，品质因数Q×f高和小的频率温度系数τf，可广泛用于介电谐振器、滤波器、介电天线等微波器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103553338A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310473495.5
申请日：2013-10-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C03C10/02
Abstract: 本发明涉及一种高储能的硼酸盐微晶玻璃介质材料及其制备方法，其制备方法是以SrCO3、BaCO3、Nb2O5、H3BO3为主要起始原料，掺杂不同含量SrF2和Gd2O3，按照设定的组成配料，配合料经湿法球磨混匀、烘干，然后在1350℃熔化保温30-60min熔化成均匀的玻璃液，再经快速成型、退火得到高致密度、无气孔的均匀基础玻璃，然后基础玻璃在一定温度下晶化热处理得到微晶玻璃电介质材料。由该方法制备微晶玻璃材料的介电常数30-136可调，直流击穿强度879-1210kV/cm可调，储能密度最高达6.94J/cm3，可用于各种高储能密度及超高压电容器的制造。
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公开(公告)号：CN105742056A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610062109.7
申请日：2016-01-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种高储能硼磷酸盐微晶玻璃介质材料及其制备方法，其制备方法是以分析纯SrCO3、BaCO3、Nb2O5、H3BO3、ZnO、NH4H2PO4和高纯度(99.9%) Sm2O3为起始原料，按照设定的玻璃组成配料，配合料经湿法球磨混匀、烘干，然后在1300?1350℃熔化保温30 min熔化成均匀的玻璃液，再经成型、退火得到无气孔的基础玻璃，然后基础玻璃在一定温度下热处理得到微晶玻璃电介质材料。由该方法制备微晶玻璃材料的介电常数38?144可调，直流击穿强度730?1650kV/cm可调，储能密度最高达9.1 J/cm3，可用于各种高储能密度及超高压电容器的制造。
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公开(公告)号：CN105645767A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610062105.9
申请日：2016-01-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于稀土发光材料领域，具体涉及一种可用于白光LED 显示的红色荧光玻璃材料及其制备方法。所述的玻璃组成以摩尔百分比计为：Na2O=24，RO (R=Ca，Sr，Ba)=24，B2O3=43-45，P2O5=6，ZrO2=1-3。稀土为外加， Eu2O3=0.25-2.0。采用高温熔融法制备得到。制备的玻璃在362nm、383nm或393nm紫外光激发下，发射出中心波长在612nm附近的红色荧光，发光强度高、稳定性好；其近紫外光的激发，与近紫外半导体芯片的发射波长非常吻合，可作为近紫外光激发的白光LED用荧光材料。本发明方法简单易行，不需要还原气氛，易于工业化生产，生产成本低，重现性好，有望与半导体芯片直接组装成白光器件，简化封装工艺。
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公开(公告)号：CN105236750A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510426311.9
申请日：2015-07-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土离子掺杂的磷酸盐微晶玻璃及其制备方法。其摩尔百分比组成为P2O540-50％、ZnO33-43％、SrO15％、MO22％和RexOy0.1-2％（x=0,y=1;x=2,y=3）准确称量各种原料，其中，符号M为Ti，Zr中的一种，RexOy为外加，符号Re为三价稀土离子Tm3+，Ce3+、Tb3+，Dy3+，Eu3+、Sm3+和二价Mn2+中的两种或三种的组合。该微晶玻璃呈透明状，物理化学性能优良。在紫外光激发下，可以发出明亮耀眼的白光。通过调控玻璃组成、稀土离子种类和浓度以及激发波长可方便地调节荧光微晶玻璃的光色品质。制备工艺简单，不需要还原气氛，熔化温度低，降低了制备成本。有望与半导体芯片直接组装成白光器件，简化封装工艺。
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公开(公告)号：CN103951187A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410165081.0
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种白光LED用发光玻璃材料及其制备方法，其制备方法是以磷酸二氢铵（NH4H2PO4）、氧化锌（ZnO）、碳酸钾（K2CO3）、碳酸锶(SrCO3)、碳酸锰（MnCO3）、氧化铥（Tm2O3）、氧化铽（Tb4O7）为原料，按照组分式aZnO-bSrO-cP2O5-dK2O-eTm2O3-fTb4O7-gMnO配料。经球磨混料12h后烘干，在1150-1200℃保温0.5-1.5h得到熔化的玻璃液；再经成型、退火得到均匀透明的发光玻璃材料。这种白光LED用发光玻璃材料制备工艺简单，熔化温度较低，制备成本低，发光玻璃在紫外光激发下得到白光，并且白光的光色品质调控可通过调节玻璃组成、离子掺杂浓度和激发波长方便实现，从而有望实现节能，环保，简化封装工艺的目的。
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