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公开(公告)号：CN101915893A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010229037.3
申请日：2010-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01R31/303
Abstract: 本发明公开一种基于电子散斑技术预测集成电路工作寿命的方法，通过建立一套基于电子散斑技术的测量系统，给集成电路试件施加温度应力，测量集成电路试件封装的离面位移随温度变化规律，找出集成电路试件失效机理发生变化的温度点进而确定其失效机理一致的温度范围；接下来根据失效机理一致温度范围内集成电路试件的离面位移变化规律来提取其失效激活能；最后结合阿伦尼斯模型和累积失效模型建立寿命预测模型，得出该集成电路试件不同温度环境下的工作寿命。
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公开(公告)号：CN101893683A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010229048.1
申请日：2010-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于相移电子散斑干涉技术预测集成电路工作寿命的方法，通过相移电子散斑干涉技术，测量集成电路试件封装表面在温度加速寿命试验下的封装表面离面位移变化规律，确定失效点，并根据失效点离面位移量和温度曲线关系计算失效激活能，最后根据建立的寿命预测模型对其寿命进行预测。该方法可在测量集成电路试件芯片表面位移的同时测量整个表面的信息，并可实现在线连续检测，同时测量更加准确。
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公开(公告)号：CN101893683B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010229048.1
申请日：2010-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于相移电子散斑干涉技术预测集成电路工作寿命的方法，通过相移电子散斑干涉技术，测量集成电路试件封装表面在温度加速寿命试验下的封装表面离面位移变化规律，确定失效点，并根据失效点离面位移量和温度曲线关系计算失效激活能，最后根据建立的寿命预测模型对其寿命进行预测。该方法可在测量集成电路试件芯片表面位移的同时测量整个表面的信息，并可实现在线连续检测，同时测量更加准确。
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公开(公告)号：CN101915893B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010229037.3
申请日：2010-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01R31/303
Abstract: 本发明公开一种基于电子散斑技术预测集成电路工作寿命的方法，通过建立一套基于电子散斑技术的测量系统，给集成电路试件施加温度应力，测量集成电路试件封装的离面位移随温度变化规律，找出集成电路试件失效机理发生变化的温度点进而确定其失效机理一致的温度范围；接下来根据失效机理一致温度范围内集成电路试件的离面位移变化规律来提取其失效激活能；最后结合阿伦尼斯模型和累积失效模型建立寿命预测模型，得出该集成电路试件不同温度环境下的工作寿命。
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