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公开(公告)号：CN115275014A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210738968.9
申请日：2022-06-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于杂化阴极界面层的有机太阳能电池及其制备方法。其中，所述杂化阴极界面层为可交联有机聚合物材料和有机稠环N型材料材料制备而成。本发明借助光诱导型有机稠环N型材料材料的优异的电子传输能力，将其微量掺杂到可交联有机聚合物材料中，获得了电子传输能力明显提高的杂化阴极界面层，能够优化电极和活性层之间的能级界面分布，改善电荷分离，提高电荷传输能力，显著提高器件的PCE和稳定性，使器件获得更优异的性能。同时该杂化阴极界面层还表现出一定的厚度不敏感性，这对可交联界面材料实现大面积高效工业化生产具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115172604A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210779257.6
申请日：2022-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于R2R的杂化阴极界面层的有机太阳电池及其制备方法。其中，所所述杂化阴极界面层为可交联有机聚合物材料和有机稠环N型材料制备而成；所述有机稠环N型材料为主体材料，所述可交联有机聚合物材料为掺杂材料。本发明通过将可交联有机聚合物材料部分掺杂到有机稠环N型材料中，借助可交联有机聚合物材料的交联特性来提高有机稠环N型材料的可耐溶剂侵蚀性；同时，经可交联有机聚合物材料掺杂改良后的杂化阴极界面层薄膜的厚度在10‑50nm范围内变化时，其器件性能在一定的范围内变化很小，表现出一定的厚度不敏感性，非常适用于以R2R为主的加工方式的工业化生产中，从而具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114824097A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210394971.3
申请日：2022-04-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种含有缓冲层的钙钛矿太阳电池，其缓冲层为铵盐修饰的二维Ti3C2TXMXene。以该方法制备的钙钛矿太阳能电池能量转换效率超过20％，在相同的器件制备条件下，此种铵盐修饰的二维Ti3C2TxMXene具有比未修饰的拥有更高的光电转换效率。本发明提供的高效、稳定钙钛矿太阳能电池的制备方法，其合成工艺简单易行，设备要求低，有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN114824097B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210394971.3
申请日：2022-04-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种含有缓冲层的钙钛矿太阳电池，其缓冲层为铵盐修饰的二维Ti3C2TXMXene。以该方法制备的钙钛矿太阳能电池能量转换效率超过20％，在相同的器件制备条件下，此种铵盐修饰的二维Ti3C2TxMXene具有比未修饰的拥有更高的光电转换效率。本发明提供的高效、稳定钙钛矿太阳能电池的制备方法，其合成工艺简单易行，设备要求低，有良好的工业应用前景。
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