公开(公告)号：CN110247661B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201910557595.3

申请日：2019-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 蔡超波 ,  姜兴 ,  宋树祥 ,  叶紫君 ,  刘珊珊

IPC: H03M1/34

Abstract: 本发明公开了一种全差分高速低功耗比较器，所述比较器包括了预放大电路、锁存电路和驱动电路。模式选择电路用于控制比较器的工作模式；比较器的工作模式有预放大模式和锁存比较模式，预放大电路在预放大模式下可以对差分输入信号进行放大，并具有高速的特点，在锁存比较模式下可将预放大电路的输出置零；锁存电路在预放大模式下断开并保存前级预放大电路的输出电压，锁存电路在锁存比较模式下进行锁存比较；驱动电路在预放大模式下将输出置零，在锁存比较模式下正常驱动。本发明具有高速度，抗干扰，自动置零、低功耗等优点。

公开(公告)号：CN110247661A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910557595.3

申请日：2019-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 蔡超波 ,  姜兴 ,  宋树祥 ,  叶紫君 ,  刘珊珊

IPC: H03M1/34

Abstract: 本发明公开了一种全差分高速低功耗比较器，所述比较器包括了预放大电路、锁存电路和驱动电路。模式选择电路用于控制比较器的工作模式；比较器的工作模式有预放大模式和锁存比较模式，预放大电路在预放大模式下可以对差分输入信号进行放大，并具有高速的特点，在锁存比较模式下可将预放大电路的输出置零；锁存电路在预放大模式下断开并保存前级预放大电路的输出电压，锁存电路在锁存比较模式下进行锁存比较；驱动电路在预放大模式下将输出置零，在锁存比较模式下正常驱动。本发明具有高速度，抗干扰，自动置零、低功耗等优点。

公开(公告)号：CN110212900A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910498376.2

申请日：2019-06-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 蔡超波 ,  姜兴 ,  宋树祥 ,  岑明灿 ,  叶紫君 ,  华菲

IPC: H03K17/16 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明公开了一种能消除体效应与衬底泄露的双阱CMOS互补开关，所述开关包括4个P阱NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4和4个N阱PMOS管MP1、MP2、MP3、MP4。MN1、MN2、MN3、MN4的栅极互连构成控制端SW；MP1、MP2、MP3、MP4的栅极互连构成反相控制端 MN1、MN3与MP1、MP3的源极互连构成双向传输端I/O1；MN1、MN2与MP1、MP2的漏极互连构成双向传输端I/O2；MN3、MN4的漏极与MN1、MN2、MN3的体端以及MN2的源极相互连接；MP3、MP4的漏极与MP1、MP2、MP3的体端以及MP2的源极相互连接；MN4的源极、体端与地GND连接；MP4的源极、体端与电源VDD连接。开关导通时，可以消除开关的体效应，既降低了开关总的导通电阻又提高了线性度；开关断开时，可以消除开关的衬底泄露，提高了电路的可靠性与安全性。