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公开(公告)号：CN113726135A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111118463.4
申请日：2021-09-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种MOS管分流关断的可控硅开关电路，可控硅具有高反向耐压和大峰值电流承受能力，适用于对容性负载如电致发光器件的控制。可控硅在触发导通后即使撤除门极控制电压/电流，在一定工作电流以上（维持电流）会一直处于自锁导通状态而不会自行关断。在本发明容性负载驱动电源半桥开关电路中，可控硅导通时承担容性负载充放电的瞬时峰值大电流，在其两端并联MOS管并分担开关电路导通后的持续电流，对所述可控硅短接分流使它工作在维持电流以下从而在其门极无电流输入时能够关断，使所述开关电路能够正常工作并保证高峰值电流冲击下的可靠性。
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