公开(公告)号：CN111694078B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202010506047.0

申请日：2020-06-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨宏艳 ,  刘雅洁 ,  陈昱澎 ,  刘梦银

IPC: G02B5/00 ,  G01N21/25

Abstract: 本发明公开一种MIM格点阵等离激元吸收器，其包括介质基底和周期性条状纳米阵列组成，每个周期单元结构为在基底上以两个三层等大长方体块组成，一块为两个金属层夹介质层，另一块为两个介质层夹金属层。本发明在入射光为电场方向沿X轴极化的情况下，其在金属纳米颗粒阵列中可以激发非平面格点阵等离激元，使相邻的纳米金属单元之间产生较强的耦合共振，在特定的结构参数下就会对入射光产生特定的吸收峰。本发明相比于与其它基于阵列的等离激元吸收器具有较高的品质因数，MIM格点阵等离激元吸收器在微纳光学集成器件领域具有着潜在的应用前景。

公开(公告)号：CN111694078A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010506047.0

申请日：2020-06-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨宏艳 ,  刘雅洁 ,  陈昱澎 ,  刘梦银

IPC: G02B5/00 ,  G01N21/25

Abstract: 本发明公开一种MIM格点阵等离激元吸收器，其包括介质基底和周期性条状纳米阵列组成，每个周期单元结构为在基底上以两个三层等大长方体块组成，一块为两个金属层夹介质层，另一块为两个介质层夹金属层。本发明在入射光为电场方向沿X轴极化的情况下，其在金属纳米颗粒阵列中可以激发非平面格点阵等离激元，使相邻的纳米金属单元之间产生较强的耦合共振，在特定的结构参数下就会对入射光产生特定的吸收峰。本发明相比于与其它基于阵列的等离激元吸收器具有较高的品质因数，MIM格点阵等离激元吸收器在微纳光学集成器件领域具有着潜在的应用前景。