温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2CuSnO4

    公开(公告)号:CN106187157A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610569550.4

    申请日:2016-07-19

    Inventor: 校凯 唐莹 段炼

    Abstract: 本发明公开了一种高品质因数温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2CuSnO4及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、CuO和SnO2的原始粉末按Li2CuSnO4的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到16.2~16.9,其品质因数Qf值高达62000-89000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    高品质因数温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2MgSnO4

    公开(公告)号:CN106187158A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610570718.3

    申请日:2016-07-19

    Inventor: 校凯 段炼 苏和平

    Abstract: 本发明公开了一种高品质因数温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2MgSnO4及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、MgO和SnO2的原始粉末按Li2MgSnO4的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1150℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1200~1250℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1250℃以下烧结良好,介电常数达到17.1~17.8,其品质因数Qf值高达79000-108000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Ge2O9

    公开(公告)号:CN106220160A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201610583716.8

    申请日:2016-07-22

    Inventor: 校凯 段炼 陈爽

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Ge2O9及其制备方法。Li2CO3、Bi2O3和GeO2的原始粉末按LiBi3Ge2O9的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在900~950℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在950℃以下烧结良好,介电常数达到20.1~20.7,其品质因数Qf值高达78000-96000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的

    温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2Bi4Ge3O13

    公开(公告)号:CN106187152A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610576473.5

    申请日:2016-07-20

    Inventor: 校凯 段炼 卢锋奇

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2Bi4Ge3O13及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Bi2O3和GeO2的原始粉末按Li2Bi4Ge3O13的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在850~900℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在900℃以下烧结良好,介电常数达到7.2~7.9,其品质因数Qf值高达76000-98000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    一种锗基温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN106187145A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610583442.2

    申请日:2016-07-22

    Inventor: 校凯 段炼 卢锋奇

    Abstract: 本发明公开了一种锗基温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2Fe4Ge3O13及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Fe2O3和GeO2的原始粉末按Li2Fe4Ge3O13的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到6.5~7.3,其品质因数Qf值高达73000-91000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    高品质因数温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2SrZnGeO5

    公开(公告)号:CN106187103A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610570609.1

    申请日:2016-07-19

    Inventor: 校凯 段炼 苏和平

    Abstract: 本发明公开了一种高品质因数温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2SrZnGeO5及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、SrCO3、ZnO和GeO2的原始粉末按Li2SrZnGeO5的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1150℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤成型,最后在1200~1250℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1250℃以下烧结良好,介电常数达到17.9~18.8,其品质因数Qf值高达85000-114000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制

    温度稳定型微波介电陶瓷LiBiSn3O8

    公开(公告)号:CN106007701A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610570567.1

    申请日:2016-07-19

    Inventor: 校凯 唐莹 段炼

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBiSn3O8及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Bi2O3和SnO2的原始粉末按LiBiSn3O8的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在900~950℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在950℃以下烧结良好,介电常数达到20.6~21.4,其品质因数Qf值高达62000‑83000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

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