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发明公开
一种具有正谐振频率温度系数的低介微波介质陶瓷及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118184309A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410144918.7

申请日：2024-02-01

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 唐莹 , 杨阳 , 方维双 , 方亮 , 林慧兴 , 杨俊峰

IPC: C04B35/01 , C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种具有正谐振频率温度系数的低介微波介质陶瓷及其制备方法。将原料SrCO3和Ga2O3按照化学式为SrGa12O19的化学计量比配料，采用传统的高温固相合成法制备。本发明制备方法简单，制备得到的低介微波介质陶瓷材料的介电常数(εr)为14.0～15.5，品质因数(Q×f)为35000～115000 GHz，谐振频率温度系数(τf)为+60.0 ppm/℃～+68.0 ppm/℃。

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