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发明公开
一种高首效二硫化锡基一体化电极审中-实审

公开(公告)号：CN119153625A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410968515.4

申请日：2024-07-19

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 卢锋奇 , 杨镕彰

IPC: H01M4/136 , H01M4/66 , H01M4/1397 , H01M4/04 , H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种高首效二硫化锡基一体化电极。通过一步水热法在碳布上直接生长多元素掺杂二硫化锡基Sn1‑x(MoFeCoNiV)xS2纳米片制备一体化电极CC@Sn1‑x(MoFeCoNiV)xS2，由于多元素掺杂的协同作用以及一体化电极的特点，所获得的一体化电极展现出优异的电化学性能。本发明制备工艺简单，原料易得，易于规模化生产。

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