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发明公开
一种负载磷钼酸铵的介孔硅薄膜及其制备方法和应用审中-实审

公开(公告)号：CN118851586A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410817905.1

申请日：2024-06-24

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 黄艺鹏 , 阮贵华 , 李振宇

IPC: C03C17/22 , G01N21/64

Abstract: 本发明涉及一种负载磷钼酸铵的介孔硅薄膜及其制备方法和应用。本发明所述的负载磷钼酸铵的介孔硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)介孔硅薄膜的合成；(2)磷钼酸铵的负载，最终得到负载磷钼酸铵的介孔硅薄膜。本发明制备的负载磷钼酸铵的介孔硅薄膜，具有竖直介孔通道结构，并负载了磷钼酸铵，能够对Cs+进行选择性吸附，结合原位形成钙钛矿纳米晶的荧光检测策略，建立了Cs+吸附与检测一体化的荧光传感模式。本发明还提供一种水样中铯离子荧光检测方法，通过将所述负载磷钼酸铵的介孔硅薄膜吸附富集的Cs+，用PbBr2溶液转化具有荧光的CsPbBr3NCs，从而建立Cs+荧光检测方法，为复杂基质样品中Cs+放射性核素的检测提供新技术。

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