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公开(公告)号：CN114334650B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111680541.X
申请日：2021-12-30
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种p‑GaN HEMT中的新结构，包括如下步骤：外延生长；AlGaN与p‑GaN形成结；对外延生长的AlGaN/p‑GaN/AlGaN/GaN材料进行清洗；光刻隔离区；有源区台面隔离；刻蚀AlGaN与p‑GaN的结叠层；欧姆接触；栅极制备；钝化层沉积；开孔及金属互联。本发明以p型栅为基础设的AlGaN/p‑GaN/AlGaN/GaN HEMT双结栅器件，通过在p‑GaN上面加了一层AlGaN盖帽层，形成结，提高栅极性能，抑制漏电流。该盖帽层不仅与p‑GaN层形成结，而且还作为阻挡层阻挡了载流子注入行为。由于双结栅减少了泄漏并扩大了栅极击穿电压，因此具有更好的直流特性、关态击穿电压和栅极可靠性，从而推进了制备更高可靠性GaN功率器件的进程。
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公开(公告)号：CN114334650A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111680541.X
申请日：2021-12-30
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种p‑GaN HEMT中的新结构，包括如下步骤：外延生长；AlGaN与p‑GaN形成结；对外延生长的AlGaN/p‑GaN/AlGaN/GaN材料进行清洗；光刻隔离区；有源区台面隔离；刻蚀AlGaN与p‑GaN的结叠层；欧姆接触；栅极制备；钝化层沉积；开孔及金属互联。本发明以p型栅为基础设的AlGaN/p‑GaN/AlGaN/GaN HEMT双结栅器件，通过在p‑GaN上面加了一层AlGaN盖帽层，形成结，提高栅极性能，抑制漏电流。该盖帽层不仅与p‑GaN层形成结，而且还作为阻挡层阻挡了载流子注入行为。由于双结栅减少了泄漏并扩大了栅极击穿电压，因此具有更好的直流特性、关态击穿电压和栅极可靠性，从而推进了制备更高可靠性GaN功率器件的进程。
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公开(公告)号：CN106597535A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611087152.5
申请日：2016-12-01
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种提高弹性波逆时偏移计算率和空间分辨率的方法。考虑在震源波场正向传播过程中，计算每个网格点的能量，保存最大能量密度的时刻和相应的波场值；在检波器波场逆时传播过程中，利用成像条件在每个网格点提取最大能量的检波器波场，用保存的最大能量震源波场做归一化，获得角度依赖的反射系数成像剖面。相比于激发时间成像条件，本发明自动校正了水平分量在震源两侧的极性反转，在多炮叠加时避免振幅损失；相比于归一化互相关成像条件，本发明在震源波场正向传播过程中无需存储波场快照，节省大量磁盘空间和I/O吞吐任务，提高了计算效率，产生的低频假象更弱，水平分量的成像能力更优，具有更高的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN104845622A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510191319.1
申请日：2015-04-22
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种蓖麻油酸制备六方相上转换纳米材料的方法。（1）称取氧化钇、氧化镱、氧化铒和/或氧化铥、氧化钬粉末，加入稀盐酸，使之完全溶解，配制为稀土氯化盐溶液；（2）室温下，将稀土氯化盐溶液、蓖麻油酸和十八烯剧烈搅拌，形成微乳相，缓慢升温除水，继续搅拌，自然降温到50℃；（3）恒温，缓慢滴加（氢氧化钠，氟化铵）的甲醇溶液，搅拌形成微乳体系，升温除甲醇；（4）通高纯氩气（99.999%），迅速升温，恒温一点时间后自然冷却，加入过量的环己烷，用无水乙醇和水的混合溶液清洗，真空干燥得到淡黄色粉末。本发明所需设备简单、操作方便、容易控制、重复率高；产物形貌均匀、尺寸小、分散性好、纯六方相，发强绿光（淡紫光）。
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