公开(公告)号：CN101671559B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200910114408.0

申请日：2009-09-19

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 强耀春 ,  张宝林

IPC: C09K11/79

Abstract: 本发明公开了一种较低温度下制备M2SiO4基质荧光粉的方法。(1)按M2SiO4化学计量比称取所需金属硝酸盐、尿素和SrCl2·6H2O，其中M为Zn、Mg、Sr、Ca、Ba、Mn和Eu中的一种或多种，将它们充分混合后加入化学计量比所需的(C2H5O)4Si再次充分混合得到凝胶；(2)将凝胶移至550℃的马弗炉中，30min后取出，研磨后将其在还原气氛炉内800-870℃灼烧1h，在还原气氛中降温到200℃取出，稍加研磨后经过去离子水洗涤、过滤、烘干，得到高纯M2SiO4基质荧光粉。本发明合成温度低(870℃以下)、时间短(1h)；工艺流程简单，易于操作，对合成设备要求低，有利于工业化。

公开(公告)号：CN101671559A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910114408.0

申请日：2009-09-19

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 强耀春 ,  张宝林

IPC: C09K11/79

Abstract: 本发明公开了一种较低温度下制备M 2 SiO 4 基质荧光粉的方法。(1)按M 2 SiO 4 化学计量比称取所需金属硝酸盐、尿素和SrCl 2 ·6H 2 O，其中M为Zn、Mg、Sr、Ca、Ba、Mn和Eu中的一种或多种，将它们充分混合后加入化学计量比所需的(C 2 H 5 O) 4 Si再次充分混合得到凝胶；(2)将凝胶移至550℃的马弗炉中，30min后取出，研磨后将其在还原气氛炉内800-870℃灼烧1h，在还原气氛中降温到200℃取出，稍加研磨后经过去离子水洗涤、过滤、烘干，得到高纯M 2 SiO 4 基质荧光粉。本发明合成温度低(870℃以下)、时间短(1h)；工艺流程简单，易于操作，对合成设备要求低，有利于工业化。