公开(公告)号：CN109133128A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811111317.7

申请日：2018-09-23

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 冯艳艳 ,  李彦杰 ,  杨地 ,  叶广源 ,  潘柳东 ,  廖燕华

IPC: C01F7/00 ,  B01D53/02

CPC classification number: C01F7/005 ,  B01D53/02 ,  B01D2253/10 ,  B01D2257/504 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/12

Abstract: 本发明公开了一种氢氧化钾蚀刻钙镁铝水滑石的制备方法及应用。采用氢氧化钾蚀刻法使得钙镁铝水滑石中的铝物种脱除以形成纳米孔道，从而制备出具有较大比表面积的氢氧化钾蚀刻钙镁铝水滑石。通过扫描电镜可以看出，氢氧化钾蚀刻的钙镁铝水滑石纳米片层上出现孔道，并且片层表面凹凸不平，拥有较大的比表面积。本发明制备工艺简单，所制得的氢氧化钾蚀刻钙镁铝水滑石材料在二氧化碳的吸附与储存方面有着广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN109231244A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811111321.3

申请日：2018-09-23

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 冯艳艳 ,  李彦杰 ,  杨地 ,  叶广源 ,  潘柳东 ,  廖燕华

IPC: C01F7/00 ,  B01J20/08

CPC classification number: C01F7/005 ,  B01J20/08

Abstract: 本发明公开了一种氢氧化钾蚀刻镁铝水滑石的制备方法及应用。采用蚀刻法利用氢氧化钾对镁铝水滑石中的铝物种进行脱除以形成纳米孔道，从而提高水滑石内部的比表面积。通过扫描电镜可以看出，氢氧化钾蚀刻的镁铝水滑石纳米片层上出现孔道，并且片层表面和边缘区域的分形维数增加。本发明制备工艺简单，所制得的氢氧化钾蚀刻镁铝水滑石，具有较大的有效比表面积，能够提供更多的吸附活性位点，在二氧化碳吸附与捕集方面具有较大的应用前景。