公开(公告)号：CN111627697A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010554435.6

申请日：2020-06-17

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 杨家志 ,  蒋存波 ,  应安文 ,  尹新哲

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/08 ,  H01G4/10 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种无间隙层叠式薄膜电容器的结构，属于新型电子元器件原理与制备领域。该薄膜电容器的结构由金属导电层薄膜和金属氧化物或氮化物介电层薄膜层层叠加而成，层间无间隙，紧密结合，由相邻导电层分别引出电容正极和负极。采用该结构的薄膜电容器由于具有层数多、层间无间隙、层间距小等特点，从而具备大容量、宽工作温度范围、低寄生电感、低等效串联阻抗(ESR)等优点，适合应用在高频电路中。

公开(公告)号：CN111627696A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010554434.1

申请日：2020-06-17

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 杨家志 ,  蒋存波 ,  应安文 ,  尹新哲

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/08 ,  H01G4/10 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种无间隙层叠式薄膜电容器的制备工艺，属于新型电子元器件原理与制备领域。该薄膜电容器由金属导电层薄膜和金属氧化物或氮化物介电层薄膜层层叠加而成，具备大容量、宽工作温度范围、低寄生电感、低等效串联阻抗(ESR)等优点。其中，电容器的导电层采用电爆炸丝喷涂法在基体材料上制备金属导电层薄膜，介电层采用热氧化法把金属薄膜表面氧化得到介电薄膜。