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公开(公告)号：CN118754658A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410765609.1
申请日：2024-06-14
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种超低介电损耗微波介质高熵陶瓷材料及其制备方法，具体通过将Nd2O3、Eu2O3、Y2O3、Ho2O3、Yb2O3和NH4VO3的原始粉末按配比称量湿磨处理，烘干后预烧获得预烧结粉末，再加入粘结剂并造粒，压制成型后烧结制得超低介电损耗微波介质高熵陶瓷材料。经验证，本发明制备的超低介电损耗微波介质高熵陶瓷材料，其谐振频率温度系数τf小(‑35.3～‑37.3ppm/℃)，温度稳定性好；其介电常数达到11.36～11.55，品质因数Q×f值高达67700‑76320GHz，比传统材料的Q×f值(
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