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公开(公告)号：CN110950372A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911230421.2
申请日：2019-12-04
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种在泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法，该微米线阵列均匀分布于泡沫镍骨架上，其直径约为0.5～3微米，长度约为50～200微米。制备过程主要分为在泡沫镍上镀铜和水热反应生长四硫七铜一钾微米线阵列两步。泡沫镍上镀铜：先将泡沫镍用盐酸处理，再将其放入镀铜溶液中浸泡一定时间，经清洗和干燥后即得镀铜的泡沫镍。在镀铜的泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列：先按一定比例配制含有无水乙醇、硫粉和氢氧化钾的混合液，接着将该混合液转移到内衬为聚四氟乙烯的反应釜中，并放入镀铜的泡沫镍，密封后进行水热反应，反应结束后经清洗、干燥，即得到在泡沫镍上生长的四硫七铜一钾微米线阵列。
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公开(公告)号：CN108706558A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810598700.3
申请日：2018-06-12
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B19/00
CPC classification number: C01B19/002 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/61
Abstract: 本发明公开了一种在铜基上生长八硒四铜一钾微米线阵列的制备方法，该微米线阵列分布均匀，其直径约为1～2微米。制备方法为：将硒粉加入水合肼、氢氧化钾和氢氧化钠的混合液中搅拌均匀，将该溶液转移到内衬为聚四氟乙烯的高压反应釜中，将裁剪好的铜基材料放入反应釜并密封，在一定温度下反应，反应完成后自然冷却至室温进行清洗烘干，即得在铜基上生长的八硒四铜一钾微米线阵列。本发明的八硒四铜一钾微米线阵列制备工艺简单，成本低廉，稳定性好，反应所需要的原料无毒对环境无污染。
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公开(公告)号：CN109336070A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811313668.6
申请日：2018-11-06
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法，该纳米片分布均匀，其厚度约为15～50纳米。制备方法为：将硒粉加入水合肼和去离子水的混合液中，并将该溶液转移到反应容器中，将裁剪好的铜基材料放入该容器中在室温下反应1～10分钟，反应完成后对铜基材料进行清洗烘干，即得在铜基上生长的硒化亚铜纳米片。本发明的硒化亚铜纳米片制备工艺简单新颖，制备时间短，成本低廉，稳定性好。
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公开(公告)号：CN108557866A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810059498.7
申请日：2018-01-22
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G3/00
Abstract: 本发明公开了一种在铜基上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法，该微米线阵列分布均匀，其直径约为1～2微米。制备方法为：将硫粉加入超纯水和无水乙醇的混合液中，再加入氢氧化钾后搅拌均匀，得到黄色溶液，将该溶液转移到内衬为聚四氟乙烯的高压反应釜中，将裁剪好的铜基材料放入反应釜并密封，在一定温度下反应，反应完成后自然冷却至室温进行清洗烘干，即得在铜基上生长的四硫七铜一钾微米线阵列。本发明的四硫七铜一钾微米线阵列制备工艺简单，成本低廉，稳定性好，反应所需要的原料无毒对环境无污染。
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公开(公告)号：CN110885094A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911229740.1
申请日：2019-12-04
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G3/00
Abstract: 本发明公开了一种在碳纸上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法，该微米线阵列均匀分布在碳纸两面，其直径约为1～10微米，长度约为50～500微米。制备过程主要包括在碳纸上镀铜和水热反应生长四硫七铜一钾微米线阵列两步。碳纸镀铜：先将碳纸进行粗化、敏化和活化处理，再放入配好的镀铜溶液中浸泡，经清洗、干燥后即得镀铜的碳纸。在镀铜的碳纸上生长四硫七铜一钾微米线：先按一定比例配制含有无水乙醇、硫粉和氢氧化钾的混合液，接着将该混合液转移到内衬为聚四氟乙烯的反应釜中，并放入镀铜的碳纸，密封后进行水热反应，反应结束后经清洗、干燥，即得到在碳纸上生长的四硫七铜一钾微米线阵列。
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