公开(公告)号：CN112174664A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202011080909.4

申请日：2020-10-11

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 陈秀丽 ,  史军彭 ,  周焕福 ,  张海林

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/64 ,  B28B3/00

Abstract: 本发明公开了一种新型高储能、高效率的铌酸钠基陶瓷材料，组成式为(1‑x)[0.9NaNbO3‑0.1Bi(Mg2/3Ta1/3)O3]‑x(Bi0.5Na0.5)0.7Sr0.3TiO3，x为摩尔百分比，0≤x≤0.40，本发明还公开了一种铌酸钠基陶瓷材料的制备方法，包括所述的一种新型高储能、高效率的铌酸钠基陶瓷材料，还包括如下步骤：制备铌酸钠基陶瓷粉体；将铌酸钠基陶瓷粉料放入球磨罐中进行预定处理后，产物压成坯体进行预烧；预烧完成后将产物倒入球磨罐中再次进行预定处理，完成后将粉体用模具压成圆片；将圆片在马弗炉中按烧结条件进行烧结即可制备铌酸钠基陶瓷材料，通过引入强铁电体Bi(Mg2/3Ta1/3)O3和(Bi0.5Na0.5)0.7Sr0.3TiO3与NaNbO3反铁电体形成均匀固溶体，以提高陶瓷材料最大极化强度和击穿场强，从而提升了介电陶瓷材料的储能密度。

公开(公告)号：CN112174664B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202011080909.4

申请日：2020-10-11

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 陈秀丽 ,  史军彭 ,  周焕福 ,  张海林

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/64 ,  B28B3/00

Abstract: 本发明公开了一种高储能、高效率的铌酸钠基陶瓷材料，组成式为(1‑x)[0.9 NaNbO3‑0.1Bi(Mg2/3Ta1/3)O3]‑x(Bi0.5Na0.5)0.7Sr0.3TiO3，x为摩尔百分比，0≤x≤0.40，本发明还公开了一种铌酸钠基陶瓷材料的制备方法，包括所述的一种高储能、高效率的铌酸钠基陶瓷材料，还包括如下步骤：制备铌酸钠基陶瓷粉体；将铌酸钠基陶瓷粉料放入球磨罐中进行预定处理后，产物压成坯体进行预烧；预烧完成后将产物倒入球磨罐中再次进行预定处理，完成后将粉体用模具压成圆片；将圆片在马弗炉中按烧结条件进行烧结即可制备铌酸钠基陶瓷材料，通过引入强铁电体Bi(Mg2/3Ta1/3)O3和(Bi0.5Na0.5)0.7Sr0.3TiO3与NaNbO3反铁电体形成均匀固溶体，以提高陶瓷材料最大极化强度和击穿场强，从而提升了介电陶瓷材料的储能密度。