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公开(公告)号:CN119627055A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202411685575.1
申请日:2024-11-23
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种异质结VO2·xH2O@V2O5储镁电极的制备方法,属于储能材料技术领域。以VOSO4为钒源,CH3COONH4为缓冲溶液,通过控制电化学反应条件在剥离的三维石墨纸表面生长异质结氧化钒复合物。所制备的氧化钒组成为隧道状VO2·xH2O和层状结构的V2O5复合物,提供了多种镁离子扩散路径,三维石墨纸提供了电子传导路径,二者结合使得该材料具有优异的储镁性能,该异质结电极可拓展与其他储能领域。
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公开(公告)号:CN119591154A
公开(公告)日:2025-03-11
申请号:CN202411666279.7
申请日:2024-11-20
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G31/02 , C01B32/05 , H01M4/48 , H01M4/587 , H01M10/054
Abstract: 本发明的一种氮掺杂碳/V2O3一体化多级孔复合储能材料及其制备方法,属于储能材料技术领域。该发明采用NaCl作为模板剂,以偏钒酸铵、尿素和羧甲基纤维素为原料制备混合物溶胶,通过冷冻干燥技术使溶胶变为干凝胶。然后采用一步简单的热分解、热还原策略原位制备了氮掺杂碳/V2O3一体化多级孔复合材料。本发明所制得的复合材料由氮掺杂碳和无明显形貌的V2O3组成,呈现出一体化、三维多级孔结构。其内部微孔孔径为0.6~3.5 nm;介孔孔径为5.3~20 nm;比表面积为208‑999 m2 g‑1。在钠离子和钾离子存储过程中表现出优异的电化学性能。该方法制备多级孔复合储能材料的普适性强、操作简单、成本低、产量高、适于工业化生产。
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