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发明公开
一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器及其制备方法无效

公开(公告)号：CN112951988A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110128328.1

申请日：2021-01-29

Applicant: 桂林医学院附属医院 , 桂林理工大学

Inventor： 王丽萍 , 董江辉 , 曲兆珠 , 张宝林

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器的制备方法，采用磁控溅射法，以Pt金属为靶材，沉积100nm厚度的Pt为底电极。采用电子束蒸发法沉积5nm厚度的Ti或Al，借助超薄AAO模板制备出了高度有序的Ti或Al纳米岛阵列。Ti纳米岛平均直径为57.7nm，岛之间中心间距平均距离为100.2nm。再用磁控溅射法，以WOy(y＝2.7～2.9)为靶材，沉积30nm厚度的WOx(x＝2.2～2.5)制得WOx/Ti NI/Pt和WOx/Al NI/Pt器件。本发明提供了一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器的制备方法，无Forming(电铸)过程且阻变电压散布性低，相比光刻技术而言，成本更低。

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