公开(公告)号：CN114464734A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202210133874.9

申请日：2022-02-14

Applicant: 桂林医学院附属医院 ,  桂林理工大学

Inventor： 董江辉 ,  王丽萍 ,  姚桂花 ,  张宝林

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种改善氧化铈基忆阻器阻变参数散布性的方法，属于忆阻器件及应用技术领域。所述方法包括以下步骤：将氧化铈基忆阻器件在空气环境中，以370～430℃的温度快速退火处理1.5～5min。所述氧化铈基忆阻器件为TiN/HfO2/CeOx/TiN/SiO2/Si器件或TiN/CeOx/TiN/SiO2/Si器件。本发明通过对氧化铈基忆阻器进行快速退火处理，使阻变参数散布性低。通过快速退火减少氧化铈阻变层中的氧空位浓度和增大氧化铈的晶粒尺寸，减小晶界，促进氧化铈阻变层中的重新再分布和聚集在变小的晶界处，减少氧空位通道的形成路径，获得VSET和VRESET，RLRS和RHRS散布性更小的器件。

公开(公告)号：CN114464734B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202210133874.9

申请日：2022-02-14

Applicant: 桂林医学院附属医院 ,  桂林理工大学

Inventor： 董江辉 ,  王丽萍 ,  姚桂花 ,  张宝林

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种改善氧化铈基忆阻器阻变参数散布性的方法，属于忆阻器件及应用技术领域。所述方法包括以下步骤：将氧化铈基忆阻器件在空气环境中，以370～430℃的温度快速退火处理1.5～5min。所述氧化铈基忆阻器件为TiN/HfO2/CeOx/TiN/SiO2/Si器件或TiN/CeOx/TiN/SiO2/Si器件。本发明通过对氧化铈基忆阻器进行快速退火处理，使阻变参数散布性低。通过快速退火减少氧化铈阻变层中的氧空位浓度和增大氧化铈的晶粒尺寸，减小晶界，促进氧化铈阻变层中的重新再分布和聚集在变小的晶界处，减少氧空位通道的形成路径，获得VSET和VRESET，RLRS和RHRS散布性更小的器件。