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公开(公告)号：CN114362582B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202111505873.4
申请日：2021-12-10
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中核同创(成都)科技有限公司
Abstract: 本申请属于磁控溅射技术领域，具体涉及一种用于高功率脉冲磁控溅射的电源装置及其控制方法，采用高频逆变技术将三相电调整到预置的直流电压值，通过变压器经过整流滤波为电容组储能提供能量，多个电容组通过电位串联叠加实现高压脉冲输出。电容组储能后经过斩波器实现高功率脉冲输出。本申请实施例提供一种用于高功率脉冲磁控溅射的电源装置及其控制方法，相对恒压控制具有明显的恒电流特性，更适合于磁控溅射的应用，具有抑制电弧的特性，具有工艺重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN114362504B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202111661195.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中核同创(成都)科技有限公司
IPC: H02M1/38 , H02M1/088 , H02M7/5387 , H02M7/219
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域，具体涉及一种可抑制米勒效应的全桥式逆变器，从主电路的根源上解决半导体开关器件固有的米勒效应导致半桥的上下两只开关管同时导通的问题，开关管开通时将不会影响到同桥臂的另一只开关管的漏源电压VDS和栅源电压VGS，由于同桥臂开关管开通和关断过程的漏源电压互不影响，因此同桥臂开关管开通和关断过程导致的米勒效应得到抑制。
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公开(公告)号：CN115912981A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211422030.2
申请日：2022-11-14
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中核同创(成都)科技有限公司
IPC: H02M9/06 , H02M7/5387 , H02M7/493 , H03K3/02 , C02F1/461
Abstract: 本发明公开了一种多波形多路宽频输出的纳秒脉冲高压电源及输出方法，涉及高压纳秒脉冲电源技术领域；通过全桥逆变器和脉冲变压器配合输出正电极和多个负电极，多个负电极分别对不同液面的废液进行降解，通过控制全桥逆变器的开关管实现单个纳秒脉冲高压电源多种极性的输出，减少降解环境的搭建；对于废水双介质阻挡放电应用场景、废水单介质阻挡放电应用场景和废水需要电子或离子定向输运的等离子体放电的应用场景，通过控制全桥逆变器的开关管输出高压双极性脉冲电源或单极性脉冲电源，无需单独搭建不同场景的降解环境。
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公开(公告)号：CN114362504A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111661195.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中核同创(成都)科技有限公司
IPC: H02M1/38 , H02M1/088 , H02M7/5387 , H02M7/219
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域，具体涉及一种可抑制米勒效应的全桥式逆变器，从主电路的根源上解决半导体开关器件固有的米勒效应导致半桥的上下两只开关管同时导通的问题，开关管开通时将不会影响到同桥臂的另一只开关管的漏源电压VDS和栅源电压VGS，由于同桥臂开关管开通和关断过程的漏源电压互不影响，因此同桥臂开关管开通和关断过程导致的米勒效应得到抑制。
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公开(公告)号：CN115864847A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211481459.9
申请日：2022-11-24
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中核同创(成都)科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种应用于等离子体的大功率炬电源，涉及等离子体技术领域，基于现有的大功率炬电源进行改进，增设可控直流功率回路，通过可控直流功率回路与主功率回路配合以适应等离子体生产的不同阶段，在等离子体产生阶段，回路空载电压串接直流功率以避免多个功率回路的冗余，提升了大功率炬电源的应用范围；在等离子体稳弧阶段，直流功率回路抑制电流的增长速率；等离子体放电维持阶段，直流功率回路导通压降小，降低热损耗；等离子体泯灭阶段，直流功率回路起到功率电感的作用，且通过算法预置，可等效为电感量较大的效果；通过不同阶段的可控直流功率回路的作用，使得大功率炬电源的负载适应能力、体积重量、输出动态特性等方便均有提升。
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公开(公告)号：CN114362582A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111505873.4
申请日：2021-12-10
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中核同创(成都)科技有限公司
Abstract: 本申请属于磁控溅射技术领域，具体涉及一种用于高功率脉冲磁控溅射的电源装置及其控制方法，采用高频逆变技术将三相电调整到预置的直流电压值，通过变压器经过整流滤波为电容组储能提供能量，多个电容组通过电位串联叠加实现高压脉冲输出。电容组储能后经过斩波器实现高功率脉冲输出。本申请实施例提供一种用于高功率脉冲磁控溅射的电源装置及其控制方法，相对恒压控制具有明显的恒电流特性，更适合于磁控溅射的应用，具有抑制电弧的特性，具有工艺重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN112921294B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN201911236265.0
申请日：2019-12-05
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司
IPC: C23C14/54
Abstract: 本发明属于自动控制技术和电力电子技术领域，具体涉及一种真空镀膜脉冲偏压膜电源的电弧检测器。当电源输出高频脉冲时，该电弧检测器通过不断采样电源输出脉冲占空比内的电感电流值，并计算出电感电流变化斜率，这样在电弧产生的初期，电弧电流开始爬升，该控制器就已侦测到电弧，然后迅速的关断电源的输出能量，减小电弧能量。由于该电弧检测器采用直接采样电感电流并快速计算电流变化率的方法，能在电弧电流爬升的初期检测到电弧的发生，能更快的关断电源输出，从而能更有效的抑制住电弧能量并灭掉电弧，提高了镀膜质量、产品成品率和生产效率。
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公开(公告)号：CN112921294A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911236265.0
申请日：2019-12-05
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司
IPC: C23C14/54
Abstract: 本发明属于自动控制技术和电力电子技术领域，具体涉及一种真空镀膜脉冲偏压膜电源的电弧检测器。当电源输出高频脉冲时，该电弧检测器通过不断采样电源输出脉冲占空比内的电感电流值，并计算出电感电流变化斜率，这样在电弧产生的初期，电弧电流开始爬升，该控制器就已侦测到电弧，然后迅速的关断电源的输出能量，减小电弧能量。由于该电弧检测器采用直接采样电感电流并快速计算电流变化率的方法，能在电弧电流爬升的初期检测到电弧的发生，能更快的关断电源输出，从而能更有效的抑制住电弧能量并灭掉电弧，提高了镀膜质量、产品成品率和生产效率。
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公开(公告)号：CN110198138A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910441113.8
申请日：2019-05-24
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司
IPC: H02M7/5387 , H02M1/08
Abstract: 本发明属于自动控制技术和电力电子技术领域，具体涉及一种直流磁控溅射镀膜电源快速可靠助燃电路，通过增加助燃电路，助燃电路输出的电压叠加上高频逆变开关电源的高频整流桥输出的电压，以达到助燃启辉电压的幅值，当启辉成功后，直流磁控溅射电源输出电流超过启辉成功判断阈值，或者直流磁控溅射电源输出电压低于主电源空载电压判断阈值，助燃电路停止工作，这时直流磁控溅射工艺需要的电压和电流由直流磁控溅射电源的主电路供给；一但辉光熄灭，助燃电路启动输出，电源的输出电压又达到助燃启辉电压的幅值，确保镀膜工艺连续性；减小电弧能量，提高镀膜质量。
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公开(公告)号：CN110224627A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910441985.4
申请日：2019-05-24
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司
Abstract: 本发明属于自动控制技术和电力电子技术领域，具体涉及一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源。该电源可以输出所需要的不同输出波形特性的直流负偏压、单极性脉冲负偏压、直流叠加单极性脉冲负偏压模式、非对称双极性脉冲偏压模式或直流叠加双极性脉冲偏压。并且，负偏压的脉冲电压幅度、频率和占空比可调节，直流叠加脉冲负偏压的直流电压幅度可调节，负偏压工作在高压低电流或低压大电流模式两种模式可设置，正脉冲电压幅度和占空比可调节。
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