公开(公告)号：CN113913778B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202111047681.3

申请日：2021-09-08

Applicant: 核工业西南物理研究院

Inventor： 黄向玫 ,  曹诚志 ,  曹曾 ,  崔成和 ,  高霄燕 ,  胡毅

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  G21B1/13 ,  G21B1/25

Abstract: 本发明属于聚变领域真空技术，具体涉及一种用于聚变装置的在线表面涂覆硅化壁处理方法。采用氘硅烷和氦气的混合气体作为硅化壁处理的工作气体，真空室上布置注入点，利用压电晶体阀送气，其采用脉冲工作模式，送气脉冲时刻位于HL‑2A装置等离子体运行的平顶段300ms‑1800ms。氘硅烷‑氦气混合气进入真空室后，沿径向运动到刮削层区后，在等离子体的作用下，在真空室内壁沉积形成硅化壁。本方法形成的硅化膜对氧气具有很强的吸附性，能实时减少真空室中的氧杂质，优化器壁条件从而提高等离子体运行参数。

公开(公告)号：CN113913778A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111047681.3

申请日：2021-09-08

Applicant: 核工业西南物理研究院

Inventor： 黄向玫 ,  曹诚志 ,  曹曾 ,  崔成和 ,  高霄燕 ,  胡毅

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  G21B1/13 ,  G21B1/25

Abstract: 本发明属于聚变领域真空技术，具体涉及一种用于聚变装置的在线表面涂覆硅化壁处理方法。采用氘硅烷和氦气的混合气体作为硅化壁处理的工作气体，真空室上布置注入点，利用压电晶体阀送气，其采用脉冲工作模式，送气脉冲时刻位于HL‑2A装置等离子体运行的平顶段300ms‑1800ms。氘硅烷‑氦气混合气进入真空室后，沿径向运动到刮削层区后，在等离子体的作用下，在真空室内壁沉积形成硅化壁。本方法形成的硅化膜对氧气具有很强的吸附性，能实时减少真空室中的氧杂质，优化器壁条件从而提高等离子体运行参数。