公开(公告)号：CN102094173B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200910250282.X

申请日：2009-12-11

Applicant: 核工业西南物理研究院

Inventor： 沈丽如 ,  陈庆川 ,  许泽金 ,  金凡亚 ,  陈美艳 ,  谌继明 ,  张年满

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明所提供的原位等离子体涂镀Ti/Cu复合涂层工艺属于低温等离子体材料表面处理技术领域。通过原位等离子体沉积技术在基体表面制备符合技术要求的Ti/Cu复合膜层。本工艺主要包括：待处理工件化学清洗；工件烘烤除气；辉光清洗；复合涂层制备等处理步骤。通过本发明，在工件表面沉积的复合涂层纯度高，表面光洁度好(Ra＜1.6μm)，涂层均匀致密，界面处无孔隙，膜/基结合牢固，符合相关工艺要求。本发明可用于包括聚变堆面对等离子体第一壁材料的复合涂层制备。

公开(公告)号：CN102094173A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200910250282.X

申请日：2009-12-11

Applicant: 核工业西南物理研究院

Inventor： 沈丽如 ,  陈庆川 ,  许泽金 ,  金凡亚 ,  陈美艳 ,  谌继明 ,  张年满

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明所提供的原位等离子体涂镀Ti/Cu复合涂层工艺属于低温等离子体材料表面处理技术领域。通过原位等离子体沉积技术在基体表面制备符合技术要求的Ti/Cu复合膜层。本工艺主要包括：待处理工件化学清洗；工件烘烤除气；辉光清洗；复合涂层制备等处理步骤。通过本发明，在工件表面沉积的复合涂层纯度高，表面光洁度好(Ra＜1.6μm)，涂层均匀致密，界面处无孔隙，膜/基结合牢固，符合相关工艺要求。本发明可用于包括聚变堆面对等离子体第一壁材料的复合涂层制备。