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公开(公告)号:CN104641011B
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201380041988.X
申请日:2013-06-25
Applicant: 株式会社UACJ , 株式会社UACJ制箔
Abstract: 本发明提供一种尤其是在加工成层压箔的状态能够实现最为良好的成形性的铝合金箔,其特征在于,含有Fe:0.6~1.6%、Si:0.02~0.2%,含有Ti:0.01~0.1%、B:0.01~0.05%中的一种或两种,Mn被限制在0.1%以下,Mg被限制在0.1%以下,Cu被限制在0.1%以下,Zn被限制在0.25%以下,余量由Al及不可避免的杂质构成,粒径1.0μm以上的Al‑Fe类金属间化合物的数量密度为50000个/mm2以下,将基于EBSP的结晶方位分析中具有5°以上的方位差的边界规定为晶界时,对于该晶界所包围的结晶粒,结晶粒径的平均值D为12μm以下,且具有超过20μm的结晶粒径的结晶粒的面积率为30%以下,并且,将20℃的电阻设为E[nΩm]、Fe含量设为C[质量%]时,(E‑26.5)/C的值为3.8以下。
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公开(公告)号:CN104641011A
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201380041988.X
申请日:2013-06-25
Applicant: 株式会社UACJ , 株式会社UACJ制箔
Abstract: 本发明提供一种尤其是在加工成层压箔的状态能够实现最为良好的成形性的铝合金箔,其特征在于,含有Fe:0.6~1.6%、Si:0.02~0.2%,含有Ti:0.01~0.1%、B:0.01~0.05%中的一种或两种,Mn被限制在0.1%以下,Mg被限制在0.1%以下,Cu被限制在0.1%以下,Zn被限制在0.25%以下,余量由Al及不可避免的杂质构成,粒径1.0μm以上的Al-Fe类金属间化合物的数量密度为50000个/mm2以下,将基于EBSP的结晶方位分析中具有5°以上的方位差的边界规定为晶界时,对于该晶界所包围的结晶粒,结晶粒径的平均值D为12μm以下,且具有超过20μm的结晶粒径的结晶粒的面积率为30%以下,并且,将20℃的电阻设为E[nΩm]、Fe含量设为C[质量%]时,(E-26.5)/C的值为3.8以下。
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