公开(公告)号：CN112840484A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202080005694.1

申请日：2020-03-06

Applicant: 株式会社LG化学 ,  浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 金壮培 ,  朴寿真 ,  柳在建 ,  蔡宗铉 ,  梁智惠

IPC: H01M4/38 ,  H01M10/052 ,  C01B33/02

Abstract: 本发明提供：一种硫掺杂硅负极材料，所述硫掺杂硅负极材料具有平均宽度为500nm～3μm的内孔通道并且具有1μm～5μm的平均外径；制造所述硫掺杂硅负极材料的方法；包含所述硫掺杂硅负极材料的锂二次电池负极；和包含所述负极的锂二次电池。

公开(公告)号：CN112840484B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202080005694.1

申请日：2020-03-06

Applicant: 株式会社LG新能源 ,  浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 金壮培 ,  朴寿真 ,  柳在建 ,  蔡宗铉 ,  梁智惠

IPC: H01M4/38 ,  H01M10/052 ,  C01B33/02

Abstract: 本发明提供：一种硫掺杂硅负极材料，所述硫掺杂硅负极材料具有平均宽度为500nm～3μm的内孔通道并且具有1μm～5μm的平均外径；制造所述硫掺杂硅负极材料的方法；包含所述硫掺杂硅负极材料的锂二次电池负极；和包含所述负极的锂二次电池。

公开(公告)号：CN109478642A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780021589.5

申请日：2017-08-18

Applicant: 株式会社LG化学 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 黄义龙 ,  朴寿真 ,  柳在建 ,  金将培 ,  蔡宗铉 ,  洪东基

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/36 ,  H01M4/134 ,  C01B33/021

Abstract: 本发明涉及包含硅片作为活性材料的负极材料和制备硅片的方法，其中硅片由下面的化学式1表示并具有超气孔结构。xSi·(1-x)A(1)其中，在上述化学式中，0.5≤x≤1.0；A是杂质，它是选自由Al2O3、MgO、SiO2、GeO2、Fe2O3、CaO、TiO2、Na2O、K2O、CuO、ZnO、NiO、Zr2O3、Cr2O3和BaO组成的组中的至少一种化合物。

公开(公告)号：CN109478642B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201780021589.5

申请日：2017-08-18

Applicant: 株式会社LG化学 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 黄义龙 ,  朴寿真 ,  柳在建 ,  金将培 ,  蔡宗铉 ,  洪东基

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/36 ,  H01M4/134 ,  C01B33/021

Abstract: 本发明涉及包含硅片作为活性材料的负极材料和制备硅片的方法，其中硅片由下面的化学式1表示并具有超气孔结构。xSi·(1‑x)A(1)其中，在上述化学式中，0.5≤x≤1.0；A是杂质，它是选自由Al2O3、MgO、SiO2、GeO2、Fe2O3、CaO、TiO2、Na2O、K2O、CuO、ZnO、NiO、Zr2O3、Cr2O3和BaO组成的组中的至少一种化合物。

公开(公告)号：CN111433154A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201980006152.3

申请日：2019-03-12

Applicant: 株式会社LG化学 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 金壮培 ,  朴寿真 ,  蔡宗铉 ,  梁智惠 ,  卜泰洙 ,  洪东基 ,  柳在建 ,  俞硕根

IPC: C01B33/02 ,  C01B32/05 ,  H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及无定形硅-碳复合物、通过使用热解法制备无定形硅-碳复合物的方法以及锂二次电池负极和锂二次电池，所述锂二次电池负极和所述锂二次电池都包含所述无定形硅-碳复合物。