公开(公告)号：CN208925986U

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201721620878.0

申请日：2017-11-28

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 郑明珍 ,  高京门 ,  朴致成 ,  金玟冏 ,  朴哲熙 ,  闵裕镐

IPC: A47J37/07

Abstract: 本实用新型所涉及的烤串装置包括：加热部、与上述加热部对应的冷却部、位于上述加热部的上部的签子、位于上述加热部与上述冷却部之间的热电元件、与上述热电元件连接并由上述热电元件接受电力的马达部、以及将上述马达部与上述签子之间连接并使上述签子旋转的驱动单元。根据本实用新型，即使在野外没有电池等电源也使签子自动旋转。

公开(公告)号：CN114514444B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202180005501.7

申请日：2021-03-16

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 边真锡 ,  高京门 ,  张影来

IPC: G02B1/113 ,  G02B1/115 ,  G02B1/14 ,  G02B5/30 ,  G09F9/33 ,  H10K59/10

Abstract: 本公开内容涉及抗反射膜，以及包括所述抗反射膜的偏光板、显示装置和有机发光二极管显示装置，所述抗反射膜包括：硬涂层；和低折射率层，其中在所述低折射率层中存在包含中空无机纳米颗粒和实心无机纳米颗粒二者并且具有1.5nm至22nm的厚度的颗粒混合层，以及其中所述抗反射膜在400nm波长下的反射率与在550nm波长下的反射率之比为1.3至2.7。

公开(公告)号：CN114514445B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202180005502.1

申请日：2021-03-16

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 边真锡 ,  高京门 ,  张影来

IPC: G02B1/113 ,  G02B1/115 ,  G02B1/14 ,  G02B5/30 ,  G09F9/33 ,  H10K59/10 ,  H10K59/80 ,  H10K50/85

Abstract: 本公开内容涉及抗反射膜，以及包括所述抗反射膜的偏光板、显示装置和有机发光二极管显示装置，所述抗反射膜包括：硬涂层；和低折射率层，其中在所述低折射率层中存在包含中空无机纳米颗粒和实心无机纳米颗粒二者并且具有1.5nm至22nm的厚度的颗粒混合层，以及其中所述抗反射膜的CIE Lab颜色空间中的b*值的绝对值为4或更小。

公开(公告)号：CN111712534B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN201980012904.7

申请日：2019-05-14

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 边真锡 ,  高京门 ,  李相宪 ,  徐光锡 ,  张影来

IPC: C08J5/18 ,  G02B1/111 ,  G02B5/22 ,  G02B5/30 ,  C09D5/00 ,  C09D133/08 ,  C09D133/10 ,  C08K7/24 ,  C08L33/08 ,  C08J7/046

Abstract: 本发明涉及具有诸如高耐磨性和耐刮擦性的机械特性和优异的光学特性的抗反射膜，以及包括其的偏光板和显示装置。

公开(公告)号：CN109314171B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201880002373.9

申请日：2018-02-12

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  朴哲熙 ,  金玟冏 ,  郑明珍 ,  朴致成

IPC: H01L35/16 ,  C01G51/00 ,  H01L35/34 ,  H01L31/0272

Abstract: 本发明提供了可以用于热电材料、太阳能电池等的由以下化学式1表示的新化合物半导体材料、其制备方法、以及使用其的热电转换装置或太阳能电池。[化学式1]NdxSyCo4Sb12‑zQz，其中Q为选自O、Se和Te中的至少一者，条件是0

公开(公告)号：CN109275341B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201780025805.3

申请日：2017-12-22

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  朴哲熙 ,  朴致成 ,  金玟冏

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0272 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L31/18 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明涉及新的化合物半导体及其用途，其中所述新的化合物半导体包含：Co‑Sb方钴矿化合物；包含在所述Co‑Sb方钴矿化合物的内部空隙中的Sn和S；和取代所述Co‑Sb方钴矿化合物的Sb的Q，以及所述新的化合物半导体表示为[化学式1]SnxSyCo4Sb12‑zQz(其中在化学式1中，Q为选自O、Se和Te中的一种或更多种，0

公开(公告)号：CN105518890B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201480049267.8

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  金兑训 ,  朴哲熙

IPC: H01L35/14

CPC classification number: H01L35/16 ,  C01B19/007 ,  C01P2006/40

Abstract: 公开了一种具有优异性能的热电材料。根据本发明的热电材料可以由以下化学式1表示。 CuxSe，其中在化学式1中，2＜x≤2.6。

公开(公告)号：CN104885241A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201480003857.7

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  金兑训 ,  朴哲熙 ,  李载骑

IPC: H01L35/14

CPC classification number: H01L35/16 ,  C01B19/007 ,  C01G3/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  H01L35/14

Abstract: 公开了一种具有优异性能的热电转换材料。根据本发明的热电材料包含Cu和Se，其中包含Cu原子和Se原子的晶体在特定温度下同时具有多个不同的晶体结构。

公开(公告)号：CN110177759B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201880006756.3

申请日：2018-05-11

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  金宰贤 ,  郑明珍

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、用于制备其的方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物在对应于热电元件的驱动温度的温度下表现出优异的相稳定性，并且还通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数(ZT)。[化学式1]V1‑xMxSn4‑yPbyBi2Se7‑zTez，在上式1中，V为空位，M为碱金属，x大于0且小于1，y大于0且小于4，以及z大于0且小于或等于1。

公开(公告)号：CN110114305B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201880005390.8

申请日：2018-05-30

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物在低温下、特别是在对应于热电元件的驱动温度的温度下表现出优异的相稳定性，并且还通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数。[化学式1]V1‑xMxSn4Bi2Se7‑yTey在上式1中，V为空位，M为碱金属，x大于0且小于1，以及y大于0且小于或等于1。