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公开(公告)号:CN109429535B
公开(公告)日:2021-10-12
申请号:CN201880002535.9
申请日:2018-05-30
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01M4/134 , H01M4/62 , H01M10/42 , H01M4/66 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及一种包含电极保护材料的负极以及包含该负极的锂二次电池,其中所述含有保护材料的负极能够抑制锂枝晶在电极表面上的生长,有效地将锂离子传递至锂金属电极,并且具有优异的离子电导率,因此包含保护材料的保护层本身不起到电阻层的作用,在充电和放电期间不会施加过电压,由此防止电池性能的劣化并且确保电池驱动时的稳定性。
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公开(公告)号:CN110382751A
公开(公告)日:2019-10-25
申请号:CN201880012928.8
申请日:2018-05-30
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本公开涉及硅基熔融组合物,其用于形成碳化硅单晶的溶液生长技术中,并且由包含硅、第一金属(M1)、钪(Sc)和铝(Al)的下式1表示:SiaMlbSccAld(式1),在式1中a大于0.4且小于0.8,b大于0.2且小于0.6,c大于0.01且小于0.1,以及d大于0.01且小于0.1。
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公开(公告)号:CN109804489A
公开(公告)日:2019-05-24
申请号:CN201780061473.4
申请日:2017-09-29
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 在本发明中,因为在包含锂复合金属氧化物的核的表面上,将包含具有5.5eV~10eV带隙的至少一种锂离子传导性化合物的膜状涂层形成至在充放电条件下不会随所述锂离子传导性化合物和所述锂复合金属氧化物的类型而发生介电击穿的厚度,所以通过利用围绕粒子表面并具有锂离子传导性的涂层阻断电子在活性材料与电解液之间的界面处的移动来抑制氧化/还原反应,由此提供二次电池用正极活性材料和包含所述正极活性材料的二次电池,所述正极活性材料可以改善电极的能量密度和电池的寿命特性。
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公开(公告)号:CN110914485A
公开(公告)日:2020-03-24
申请号:CN201980003601.9
申请日:2019-05-22
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 根据一个示例性实施方案的基于硅的熔融组合物在用于形成碳化硅单晶的溶液生长法中使用,包含硅(Si)、钇(Y)和铁(Fe),并且以式1表示。在式1中,a等于或大于0.4且等于或小于0.8,b等于或大于0.2且等于或小于0.3,以及c等于或大于0.1且等于或小于0.2。[式1]SiaYbFec。
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公开(公告)号:CN110494599A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201880021421.9
申请日:2018-11-01
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 根据本发明的一个实施方案的基于硅的熔融组合物在用于形成碳化硅单晶的溶液生长法中使用,并且以式1表示,所述基于硅的熔融组合物包含硅(Si)、铬(Cr)、钒(V)和铝(Al)。[式1]SiaCrbVcAld,在式1中,a为0.4至0.9,b+c为0.1至0.6,c/(b+c)为0.05至0.95,以及d为0.01至0.1。
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公开(公告)号:CN113937350A
公开(公告)日:2022-01-14
申请号:CN202111048936.8
申请日:2017-01-12
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01M10/0562 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及硫化物型固体电解质、其制备方法和包含其的全固态电池。所述硫化物型固体电解质包含由Li13Sn2InS12表示的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物。所述硫化物型固体电解质的制备方法包括如下步骤:i)将锂硫化物、锡硫化物和含M的硫化物混合,其中M是In;以及ii)对混合物进行热处理。本发明的硫化物型固体电解质和包含其的全固态电池显示改善的对水分的反应性而防止有毒气体的产生,从而提高安全性和稳定性,并且即使在空气中放置后也不降低离子电导率,并且所述固体电解质由于其改善的贮存稳定性而易于处理和储存。
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公开(公告)号:CN107924814B
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN201680048915.7
申请日:2016-10-25
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及通过溶液法形成SiC单晶的基于硅的熔融组合物,所述组合物包含硅、碳、和金属,所述金属对于由以下式(1)定义的溶解度参数(Csisol)满足0.70≤Csisol≤1.510:Csisol=A‑B+μ1‑μ2式(1),其中在上述式中,A是包含金属和碳的硅晶格中的包含硅原子、碳原子和金属原子的第一评估晶格的第一能量(A);B是包含金属原子的硅晶格中的包含硅原子和金属原子的第二评估晶格的第二能量(B);μ1是作为常数值的‑5.422,其是通过具有金刚石晶体结构的硅的总能量除以单元晶格中存在的硅原子的数目而获得的化学势;并且μ2是作为常数值的‑9.097,其是通过具有金刚石晶体结构的碳的总能量除以单元晶格中存在的碳原子的数目而获得的化学势。
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公开(公告)号:CN110494599B
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201880021421.9
申请日:2018-11-01
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 根据本发明的一个实施方案的基于硅的熔融组合物在用于形成碳化硅单晶的溶液生长法中使用,并且以式1表示,所述基于硅的熔融组合物包含硅(Si)、铬(Cr)、钒(V)和铝(Al)。[式1]SiaCrbVcAld,在式1中,a为0.4至0.9,b+c为0.1至0.6,c/(b+c)为0.05至0.95,以及d为0.01至0.1。
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公开(公告)号:CN110382751B
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201880012928.8
申请日:2018-05-30
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本公开涉及硅基熔融组合物,其用于形成碳化硅单晶的溶液生长技术中,并且由包含硅、第一金属(M1)、钪(Sc)和铝(Al)的下式1表示:SiaMlbSccAld(式1),在式1中a大于0.4且小于0.8,b大于0.2且小于0.6,c大于0.01且小于0.1,以及d大于0.01且小于0.1。
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公开(公告)号:CN107683520B
公开(公告)日:2021-01-26
申请号:CN201680031312.6
申请日:2016-10-25
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及一种基于硅的熔融组合物以用于通过溶液法形成SiC单晶,所述组合物包含硅、碳和由以下式(1)定义的溶解度参数(Csisol)小于‑0.37的金属:式(1),其中在上述式(1)中,A为在包含金属和碳的硅晶格中包含硅原子、碳原子和金属原子的第一评估晶格的第一能量(A),B为在包含金属的硅晶格中包含硅原子和金属原子的第二评估晶格的第二能量(B),μ1为作为通过将金刚石晶体结构中硅的总能量除以单元晶格中存在的硅原子数获得的化学势的常数‑5.422,μ2为作为通过将金刚石晶体结构中碳的总能量除以单元晶格中存在的碳原子数获得的化学势的常数‑9.097。
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