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公开(公告)号：CN116114061A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202180057395.7
申请日：2021-08-10
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种对功率器件特别有用且顺向特性得到改善的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件及具备该半导体元件的半导体装置，所述半导体元件为具备包含结晶性氧化物半导体(例如，α‑Ga2O3等)作为主成分的半导体层、层叠于该半导体层上的电极层以及直接或隔着其他层而层叠于该电极层上的导电性基板的层叠结构体，所述导电性基板至少含有选自元素周期表第11族金属中的第一金属以及线性热膨胀系数与所述第一金属的线性热膨胀系数不同的第二金属。
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