公开(公告)号：CN115943497A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180041605.3

申请日：2021-06-04

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 大岛孝仁 ,  樋口安史

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，该半导体装置具有电场集中于肖特基电极的终端部的倾向，从而具有抑制电场集中的结构。作为本发明的一实施方式，半导体装置具有：半导体层；所述半导体层的侧面的至少一部分所接触的非导电层；以及配置在所述半导体层及所述非导电层上的肖特基电极，所述肖特基电极的端部位于所述非导电层上。

公开(公告)号：CN114556585A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202080069177.0

申请日：2020-09-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 大岛孝仁 ,  鸟山达矢

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L23/373 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种层叠结构体，其对半导体装置有用，具有面积大、膜厚分布良好且膜厚为30μm以下的结晶膜，并且散热性优异。所述层叠结构体通过在支撑体上直接或隔着其他层层叠结晶膜而成，所述结晶膜包含结晶性金属氧化物作为主成分，所述支撑体在室温下具有100W/m·K以上的导热率，所述结晶膜具有刚玉结构，而且，所述结晶膜的膜厚为1μm～30μm，所述结晶膜的面积为15cm2以上，所述面积中的所述膜厚的分布在±10％以下的范围内。

公开(公告)号：CN115023816A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202180011241.4

申请日：2021-01-27

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 大岛孝仁

IPC: H01L29/872 ,  C30B25/04 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  C30B29/16 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40

Abstract: 一种半导体装置，包含：半导体膜，包含肖特基结区域和欧姆结区域；肖特基电极，配置在所述半导体膜的所述肖特基结区域上；以及欧姆电极，配置在所述欧姆结区域上，所述半导体装置的特征在于，所述半导体膜的肖特基结区域的位错密度比所述半导体膜的欧姆结区域的位错密度小。