公开(公告)号：CN115943498A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180050839.4

申请日：2021-08-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 柳田秀彰 ,  四户孝 ,  安藤裕之 ,  松原佑典 ,  北角英人

IPC: H01L29/872

Abstract: 提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；多个电阻元件，与所述多个PN结二极管分别并联连接，并且相互被串联连接；以及肖特基势垒二极管，具备正温度特性而与所述多个PN结二极管并联连接。

公开(公告)号：CN115885390A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180050849.8

申请日：2021-08-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 柳田秀彰 ,  四户孝 ,  安藤裕之 ,  松原佑典 ,  北角英人

IPC: H01L29/872

Abstract: 提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；肖特基势垒二极管，具备正温度特性而与所述多个PN结二极管并联连接；以及芯片焊盘，共同载置所述多个PN结二极管中的至少一个与所述肖特基势垒二极管。

公开(公告)号：CN115836468A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180048967.5

申请日：2021-07-09

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 北角英人 ,  松原佑典

IPC: H02M3/155

Abstract: 提供一种降低了辐射噪声的功率转换电路。功率转换电路至少具备：开关元件(5)，经由电抗器(4)对所输入的电压进行开闭；以及换向二极管(7)，通过至少包括在所述开关元件(5)关断时从所述电抗器(4)产生的电动势的电压，使沿所述电动势的方向流动的电流导通，所述换向二极管(7)包括氧化镓系肖特基势垒二极管。