公开(公告)号：CN105580126B

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201480052654.7

申请日：2014-10-17

Applicant: 株式会社EUGENE科技

Inventor： 玄俊镇 ,  宋炳奎 ,  金劲勋 ,  金龙基 ,  申良湜 ,  金仓乭

IPC: H01L21/68

Abstract: 根据本发明的一实施例，基板处理装置包括：腔本体，该腔本体的上部和下部开放，并通过形成于一侧的通道运送基板；内部反应管，该内部反应管具有下部开放的形状，并设置在上述腔本体的上部而提供对上述基板实施工序的工序空间；基板支架，配置在上述腔的开放的下部，可以将通过上述通道运送的上述基板转换到沿着上下方向装载的装载位置、及朝向上述工序空间上升而对被装载的上述基板实施工序的工序位置；遮断板，连接在上述基板支架的下部而与上述基板支架一起升降，在上述工序位置封闭上述内部反应管的开放的下部；连接气缸，竖立设置在上述遮断板的下部而与上述遮断板一起升降；及遮断部件，被连接在上述腔本体的开放的下部表面和上述连接气缸之间，将开放的上述腔本体的下部与外部隔离。

公开(公告)号：CN106531661A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610600648.1

申请日：2016-07-27

Applicant: 株式会社EUGENE科技

Inventor： 玄俊镇 ,  诸成泰 ,  宋炳奎 ,  金龙基 ,  金劲勋 ,  金苍乭 ,  申良湜 ,  金哉佑

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45563 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种衬底处理设备，包含：管，其提供内部空间，在所述内部空间中处理衬底；衬底支撑部分，其在管的内部空间中以多层堆叠多个衬底；气体供应部分，其将处理气体供应到多个衬底；排气部分，其安置成面向气体供应部分以吸收处理气体；以及流动调节部分，其具有沿着在气体供应部分与排气部分之间的管的圆周形成的喷洒开口以喷洒调节气体，并且能够通过调节处理气体的流动控制供应到衬底的上表面的处理气体的量，可以改进衬底处理过程的效率。

公开(公告)号：CN103733309B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201280037955.3

申请日：2012-07-31

Applicant: 株式会社EUGENE科技

Inventor： 金荣大 ,  玄俊镇 ,  禹相浩 ,  申承祐 ,  金海元

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67184 ,  C30B25/08 ,  C30B29/06 ,  C30B35/005 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67757

Abstract: 根据本发明一实施例，一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括：清洗腔室，其实施对基板的清洗工艺；外延腔室，其实施在所述基板上形成外延层的外延工艺；缓冲腔室，其具备用于载置所述基板的载置空间；搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室、所述缓冲腔室、及所述外延腔室连接，并且具备在所述清洗腔室、所述缓冲腔室、及所述外延腔室之间用于搬运所述基板的基板处理器，其中，所述基板处理器向所述载置空间依次载置已结束所述清洗工艺的所述基板后，并且将已载置的所述基板向所述外延腔室搬运，而且向所述载置空间依次载置形成有所述外延层的所述基板。

公开(公告)号：CN105580126A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480052654.7

申请日：2014-10-17

Applicant: 株式会社EUGENE科技

Inventor： 玄俊镇 ,  宋炳奎 ,  金劲勋 ,  金龙基 ,  申良湜 ,  金仓乭

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  F27B1/02 ,  F27B1/10 ,  F27B1/20 ,  F27B1/21 ,  F27B3/02 ,  F27B5/04 ,  F27B5/06 ,  F27B5/14 ,  F27B5/16 ,  F27B5/18 ,  F27D3/0084 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67757

Abstract: 根据本发明的一实施例，基板处理装置包括：腔本体，该腔本体的上部和下部开放，并通过形成于一侧的通道运送基板；内部反应管，该内部反应管具有下部开放的形状，并设置在上述腔本体的上部而提供对上述基板实施工序的工序空间；基板支架，配置在上述腔的开放的下部，可以将通过上述通道运送的上述基板转换到沿着上下方向装载的装载位置、及朝向上述工序空间上升而对被装载的上述基板实施工序的工序位置；遮断板，连接在上述基板支架的下部而与上述基板支架一起升降，在上述工序位置封闭上述内部反应管的开放的下部；连接气缸，竖立设置在上述遮断板的下部而与上述遮断板一起升降；及遮断部件，被连接在上述腔本体的开放的下部表面和上述连接气缸之间，将开放的上述腔本体的下部与外部隔离。

公开(公告)号：CN104733351A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410805920.0

申请日：2014-12-19

Applicant: 株式会社EUGENE科技

Inventor： 玄俊镇 ,  宋炳奎 ,  金劲勋 ,  金龙基 ,  申良湜 ,  金苍乭

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67748 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/54 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供了一种衬底处理模块、包括该衬底处理模块的衬底处理设备以及衬底传输方法。该衬底处理模块包括：具有通道的腔室，通道形成在其一侧上并允许衬底通过其进入或离开；安装在腔室内的第一基座，其设置在通道的前面，具有以贯穿的方式形成在其上表面中的至少一个通孔，并且允许衬底在处理期间放置在其上；安装在腔室内的第二基座，其设置到第一基座的后面，并且允许衬底在处理期间放置在其上；设置在腔室内并基于预设位置旋转的旋转部件；连接到旋转部件的支架，支架与旋转部件一起旋转并具有允许衬底放置在其上的安装表面；连接到旋转部件并驱动旋转部件将支架移动到对应于第一基座的备用位置或对应于第二基座的输送位置的支架驱动模块。

公开(公告)号：CN106531661B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201610600648.1

申请日：2016-07-27

Applicant: 株式会社EUGENE科技

Inventor： 玄俊镇 ,  诸成泰 ,  宋炳奎 ,  金龙基 ,  金劲勋 ,  金苍乭 ,  申良湜 ,  金哉佑

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45563

Abstract: 本发明提供一种衬底处理设备，包含：管，其提供内部空间，在所述内部空间中处理衬底；衬底支撑部分，其在管的内部空间中以多层堆叠多个衬底；气体供应部分，其将处理气体供应到多个衬底；排气部分，其安置成面向气体供应部分以吸收处理气体；以及流动调节部分，其具有沿着在气体供应部分与排气部分之间的管的圆周形成的喷洒开口以喷洒调节气体，并且能够通过调节处理气体的流动控制供应到衬底的上表面的处理气体的量，可以改进衬底处理过程的效率。

公开(公告)号：CN106711065A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610916058.X

申请日：2016-10-20

Applicant: 株式会社EUGENE科技

Inventor： 玄俊镇 ,  诸成泰 ,  宋炳奎 ,  金龙基 ,  金劲勋 ,  金苍乭 ,  申良湜 ,  金哉佑

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种衬底处理装置及使用所述衬底处理装置的衬底处理方法，且更具体而言，涉及一种能够改善参与衬底处理工艺的工艺气体的流量的衬底处理装置及使用衬底处理装置的方法。根据示例性实施例的衬底处理装置包括：预腔室，衬底被载送至预腔室中；工艺腔室，与预腔室连通且在工艺腔室中执行衬底处理工艺；衬底舟，包括多个分隔板以分隔装载空间，并进行升降，衬底被装载至装载空间中；气体供应单元，用以经由设置于工艺腔室中的多个喷射喷嘴将工艺气体供应至衬底；排放单元，用以经由界定于工艺腔室中的多个抽吸孔来排放气体；以及交换引导构件，设置于预腔室中并用以将被载送至预腔室中的衬底放置于经多个分隔板分隔的装载空间中。

公开(公告)号：CN103718273B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280037860.1

申请日：2012-07-31

Applicant: 株式会社EUGENE科技

Inventor： 金荣大 ,  玄俊镇 ,  禹相浩 ,  申承祐 ,  金海元

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67757

Abstract: 根据本发明一实施例，一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括：清洗腔室，其实现对基板的清洗工艺；外延腔室，其实现在所述基板上形成外延层的外延工艺；以及搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室及所述外延腔室连接，并且具备向所述外延腔室搬运已完成所述清洗工艺的所述基板的基板处理器，所述清洗腔室具备：反应腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的反应工艺；及加热腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的加热工艺，所述反应腔室和所述加热腔室以上下形式载置。

公开(公告)号：CN104934348A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510037225.9

申请日：2015-01-26

Applicant: 株式会社EUGENE科技

Inventor： 玄俊镇 ,  宋炳奎 ,  金劲勳 ,  金龙基 ,  申良湜 ,  金苍乭

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种用于处理衬底的设备。在其中对衬底执行工艺的用于处理衬底的所述设备包含：下部腔室，所述下部腔室在其一侧中具有开放的上部及通道，可通过所述通道接近衬底；外部反应管，其经设置以关闭下部腔室的开放的上部，进而提供在其中执行所述工艺的工艺空间；衬底固持器，至少衬底垂直地堆叠在其中，所述衬底固持器在堆叠位置与工艺位置之间切换，在所述堆叠位置中，衬底堆叠在衬底固持器中，在所述工艺位置中，对衬底执行所述工艺；以及气体供应单元，其安置在外部反应管中以将反应气体供应到反应区中，进而产生在垂直方向上具有彼此不同的相位差的反应气体气流。该设备根据高度在不同温度下加热工艺空间，能够提高衬底处理生产量。

公开(公告)号：CN103733307A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280037822.6

申请日：2012-07-31

Applicant: 株式会社EUGENE科技

Inventor： 金荣大 ,  玄俊镇 ,  禹相浩 ,  申承祐 ,  金海元

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/677 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B25/10 ,  C30B25/08 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67757

Abstract: 根据本发明的一实施例，半导体制造设备包括：清洗腔室，其实施对基板的清洗工艺；外延腔室，其实施在所述基板上形成外延层的外延工艺；以及搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室和所述外延腔室连接，并且具备用于向所述外延腔室搬运已结束所述清洗工艺的所述基板的基板处理器。所述外延工艺可以为对多个基板实施的间歇式工艺。