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公开(公告)号：CN105280553B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201510363748.2
申请日：2015-06-26
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供芯片间隔维持装置，其能够抑制使芯片间隔维持在扩大状态时的芯片的污染。芯片间隔维持装置(2)使多个芯片(27)的间隔维持在扩张的状态，多个芯片(27)是将贴附在扩展片材(23)上的被加工物(11)分割而形成的多个芯片，芯片间隔维持装置(2)构成为具备：远红外线照射构件(42)，其朝向被加工物的外周缘与环状框架(25)的内周之间的被扩张的扩展片材照射远红外线(A)，使扩展片材收缩；以及空气层形成构件(44)，其与远红外线照射构件相邻地配设，具有喷射口(44a)，在被加工物的上方形成空气层，其中在远红外线照射构件向扩展片材照射远红外线时，该喷射口(44a)向被加工物喷射气体(B)。
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公开(公告)号：CN110034066A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811579344.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 提供被加工物的分割方法和分割装置，抑制分割后的器件彼此摩擦。被加工物的分割方法具有：固定步骤(ST1)，隔着扩展片将被加工物载置于保持工作台的保持面上，利用框架固定部对环状框架进行固定；片扩展步骤(ST2)，使保持工作台和框架固定部在与被加工物垂直的方向上相对移动，对扩展片的环状区域进行扩展；吸引保持步骤(ST3)，利用保持工作台的保持面隔着扩展片对被加工物进行吸引保持，维持扩展片的扩展；和加热步骤(ST4)，在实施了吸引保持步骤之后，对扩展后的扩展片的环状区域进行加热而使环状区域收缩。在加热步骤中，一边使在片扩展步骤中分离的保持工作台和框架固定部接近，一边利用加热单元对扩展片进行加热而使环状区域收缩。
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公开(公告)号：CN103871931B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201310655965.X
申请日：2013-12-06
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供一种分割装置以及分割方法，能够通过条部件来分割经带体支撑在与晶片（圆形板状物）对应的适当尺寸的环状框架内侧的晶片的分割预定线，而条部件不会与环状框架干涉。条单元（50）具有比晶片（1）的分割预定线（2）中的最短的长且比最长的短的第一条部件（51）、和比最长的长的第二条部件（52），使该条单元在条部件与分割预定线平行的状态下沿与分割预定线垂直的方向相对晶片相对移动，同时通过第一条部件（51）来断裂晶片的外侧区域的分割预定线，并通过第二条部件（52）来断裂晶片的中央区域的分割预定线，从而将晶片分割。通过具有与分割预定线的长度对应的长度的不同的条部件，防止条部件与环状框架（7）的干涉。
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公开(公告)号：CN105280543A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510408612.9
申请日：2015-07-13
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/687 , H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法，抑制扩展带因隆起而引起的从卡盘工作台的翻卷。晶片的加工方法具有：改质层形成步骤，在晶片(11)上形成改质层(25)；晶片单元准备步骤，准备借助于扩展带(21)利用框架(23)支承晶片的晶片单元(1)；扩张步骤，以将载置有晶片的卡盘工作台(14)相对于框架保持构件(32)顶起的方式扩张扩展带，以改质层为起点将晶片分割成芯片(27a、27b)并扩张芯片的间隔；顶起解除步骤，维持芯片的间隔并解除顶起状态；去除松弛的松弛去除步骤，在改质层形成步骤中，借助规定的分割预定线(17)以除了外周剩余区域(15)以外的方式形成改质层。
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公开(公告)号：CN107275256B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201710197604.3
申请日：2017-03-29
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供一种扩展装置，使粘合带均匀地收缩。扩展装置具有：框架保持构件(32)；保持工作台(33)，其具有对粘合带(110)的粘贴有晶片(10)的晶片保持区域(111)进行吸引保持的保持面(332a)，粘合带安装在框架(100)上；进退构件(34)，其使框架保持构件和保持工作台在基准位置与扩展位置之间相对移动；以及加热构件(35)，其使通过进退构件而在晶片保持区域与框架之间发生了扩展的粘合带收缩，保持工作台在保持面的外周具有扩展辅助辊(334)，扩展辅助辊对晶片保持区域与框架之间的粘合带起作用，扩展辅助辊是仅按照与粘合带在保持面的径向上扩展时所移动的方向一致的朝向旋转的单向辊。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107275256A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710197604.3
申请日：2017-03-29
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/67092 , B26D7/01 , B26F3/16 , H01L21/78
Abstract: 提供一种扩展装置，使粘合带均匀地收缩。扩展装置具有：框架保持构件(32)；保持工作台(33)，其具有对粘合带(110)的粘贴有晶片(10)的晶片保持区域(111)进行吸引保持的保持面(332a)，粘合带安装在框架(100)上；进退构件(34)，其使框架保持构件和保持工作台在基准位置与扩展位置之间相对移动；以及加热构件(35)，其使通过进退构件而在晶片保持区域与框架之间发生了扩展的粘合带收缩，保持工作台在保持面的外周具有扩展辅助辊(334)，扩展辅助辊对晶片保持区域与框架之间的粘合带起作用，扩展辅助辊是仅按照与粘合带在保持面的径向上扩展时所移动的方向一致的朝向旋转的单向辊。
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公开(公告)号：CN104576529A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410526588.4
申请日：2014-10-09
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/02076 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L21/02
Abstract: 本发明的目的是提供一种晶片的加工方法，可减少芯片的安装不良。在通过实施分割步骤来将晶片(W)分割成一个个芯片(C)之后，实施照射步骤，从而向芯片(C)的安装面(C1)照射紫外线或者等离子体来生成臭氧并生成活性氧，去除附着在芯片(C)的安装面(C1)上的有机物。除了在晶片(W)的处理中附着的异物以外，还可以从芯片(C)的安装面(C1)去除在分割时产生的异物，能够减少芯片(C)的安装不良。
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公开(公告)号：CN110010522B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201811550001.8
申请日：2018-12-18
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供分割装置，能够抑制在加热时从扩展片产生的产生气体的成分附着于被加工物的正面。分割装置具有：框架固定部(40)，其固定被加工物单元(9)的环状框架(8)；片材扩展单元，其在与被加工物(1)垂直的方向上按压扩展片(7)的环状区域(101)而使扩展片(7)扩展，从而使被加工物(1)断裂；加热单元(60)，其对扩展后的扩展片(7)的环状区域(101)进行加热而使该环状区域收缩；气体提供单元(70)，其在扩展片(7)的加热期间利用向被加工物(1)的正面提供的提供气体(150)来覆盖被加工物(1)的正面，将被加工物(1)与从扩展片(7)产生的产生气体(160)隔离；以及吸引排气单元(80)，其在被加工物(1)的外周对产生气体(160)和提供气体(150)进行吸引而排出。
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公开(公告)号：CN110620076B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201910525704.3
申请日：2019-06-18
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 服部笃
IPC: H01L21/683 , H01L21/68 , H01L21/78
Abstract: 提供带扩展装置，能够适当地分割被加工物。该带扩展装置对借助扩展带将被加工物支承于环状框架的框架单元的扩展带进行扩展，其中，该带扩展装置具有：框架保持部，其对环状框架进行保持；卡盘工作台，其被框架保持部围绕，具有隔着扩展带而对被加工物进行保持的保持面；以及位置调整单元，其对被加工物相对于保持面的位置进行调整，位置调整单元具有：位置检测单元，其对暂时放置于暂放区域或保持于保持面的被加工物的位置进行检测；以及位置控制单元，其具有突触部和移动机构，该突触部与框架保持部所保持的框架单元的环状框架的外周部接触，该移动机构根据位置检测单元所检测出的被加工物的位置而使突触部移动。
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公开(公告)号：CN105280543B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201510408612.9
申请日：2015-07-13
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/687 , H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法，抑制扩展带因隆起而引起的从卡盘工作台的翻卷。晶片的加工方法具有：改质层形成步骤，在晶片(11)上形成改质层(25)；晶片单元准备步骤，准备借助于扩展带(21)利用框架(23)支承晶片的晶片单元(1)；扩张步骤，以将载置有晶片的卡盘工作台(14)相对于框架保持构件(32)顶起的方式扩张扩展带，以改质层为起点将晶片分割成芯片(27a、27b)并扩张芯片的间隔；顶起解除步骤，维持芯片的间隔并解除顶起状态；去除松弛的松弛去除步骤，在改质层形成步骤中，借助规定的分割预定线(17)以除了外周剩余区域(15)以外的方式形成改质层。
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