磁器件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101438178B

    公开(公告)日:2011-11-16

    申请号:CN200780016434.9

    申请日:2007-05-08

    Abstract: 本发明的磁器件具备磁元件、夹着该磁元件配置的第一磁场施加机构和第二磁场施加机构。磁元件是在例如非磁性基板的表面上曲折地形成软磁性膜的元件。第一磁场施加机构及第二磁场施加机构,从第一磁场施加机构向第二磁场施加机构在一个方向(S)上形成磁场(M)。由此,对于被配置在第一磁场施加机构和第二磁场施加机构之间的磁元件而言,整个软磁性膜被施加了朝向一个方向的偏磁场(M)。

    光纤母材的制造方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109843815B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN201780064884.9

    申请日:2017-10-17

    Inventor: 长洲胜文

    Abstract: 光纤母材的制造方法是用于制造具有由二氧化硅玻璃形成的纤芯和形成于上述纤芯的外周的包层的光纤的光纤母材的制造方法,具有如下工序:将成为上述纤芯的纤芯母材的表面在腔室内用等离子火焰进行蚀刻处理的蚀刻工序,在将上述纤芯母材放入上述腔室内的状态下,使玻璃微粒沉积于上述纤芯母材的蚀刻处理面而形成成为上述包层的外部气相沉积层,由此得到多孔母材的沉积工序,以及将上述多孔母材加热进行烧结的烧结工序,并且,上述沉积工序中,通过多次重复进行基于原料气体的供给的上述玻璃微粒的沉积而形成上述外部气相沉积层,上述多次的玻璃微粒的沉积中的至少最初一次的上述原料气体的流量相对于稳定值为50%以下,开始上述沉积工序时的上述纤芯母材的蚀刻处理面的温度为50℃以上。

    磁器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101438178A

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:CN200780016434.9

    申请日:2007-05-08

    Abstract: 本发明的磁器件具备磁元件、夹着该磁元件配置的第一磁场施加机构和第二磁场施加机构。磁元件是在例如非磁性基板的表面上曲折地形成软磁性膜的元件。第一磁场施加机构及第二磁场施加机构,从第一磁场施加机构向第二磁场施加机构在一个方向(S)上形成磁场(M)。由此,对于被配置在第一磁场施加机构和第二磁场施加机构之间的磁元件而言,整个软磁性膜被施加了朝向一个方向的偏磁场(M)。

    光纤及其制造方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108885303B

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN201780021119.9

    申请日:2017-03-29

    Abstract: 本发明涉及光纤及其制造方法,在具备夹设于纤芯(111)与包层(113)之间的凹陷层(112)的光纤(1)中,使有效纤芯截面积Aeff为100μm2以上且129μm2以下,使纤芯(111)的半径r1为5.2μm以上且7.4μm以下,使纤芯(111)的折射率体积Vcore为8.5%μm2以上且16.5%μm2以下,使凹陷层(112)的折射率体积Vdep为‑40%μm2以上且低于0μm2。

    光纤母材的制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109843815A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201780064884.9

    申请日:2017-10-17

    Inventor: 长洲胜文

    Abstract: 光纤母材的制造方法是用于制造具有由二氧化硅玻璃形成的纤芯和形成于上述纤芯的外周的包层的光纤的光纤母材的制造方法,具有如下工序:将成为上述纤芯的纤芯母材的表面在腔室内用等离子火焰进行蚀刻处理的蚀刻工序,在将上述纤芯母材放入上述腔室内的状态下,使玻璃微粒沉积于上述纤芯母材的蚀刻处理面而形成成为上述包层的外部气相沉积层,由此得到多孔母材的沉积工序,以及将上述多孔母材加热进行烧结的烧结工序,并且,上述沉积工序中,通过多次重复进行基于原料气体的供给的上述玻璃微粒的沉积而形成上述外部气相沉积层,上述多次的玻璃微粒的沉积中的至少最初一次的上述原料气体的流量相对于稳定值为50%以下,开始上述沉积工序时的上述纤芯母材的蚀刻处理面的温度为50℃以上。

    光纤及其制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108885303A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201780021119.9

    申请日:2017-03-29

    Abstract: 本发明涉及光纤及其制造方法,在具备夹设于纤芯(111)与包层(113)之间的凹陷层(112)的光纤(1)中,使有效纤芯截面积Aeff为100μm2以上且129μm2以下,使纤芯(111)的半径r1为5.2μm以上且7.4μm以下,使纤芯(111)的折射率体积Vcore为8.5%μm2以上且16.5%μm2以下,使凹陷层(112)的折射率体积Vdep为‑40%μm2以上且低于0μm2。

Patent Agency Ranking