公开(公告)号：CN109642983A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052834.9

申请日：2017-05-30

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 平川圭祐 ,  市井健太郎 ,  林和幸

IPC: G02B6/036 ,  G02B6/024 ,  G02B6/30

Abstract: 本发明实现一种光纤，与CSMF熔接的熔接点处的连接损失充分变小。使内侧包层(12)的折射率与外侧包层(13)的折射率实质上相等，并且将上升掺杂剂在内侧包层(12)中的浓度规定为，基于该上升掺杂剂的折射率上升率为0.25％以上且0.5％以下。

公开(公告)号：CN110446957A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201880019812.7

申请日：2018-03-22

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 市井健太郎 ,  平川圭祐 ,  林和幸

IPC: G02B6/024 ,  C03B37/012 ,  C03C13/04 ,  G02B6/036 ,  G02B6/255 ,  G02B6/30

Abstract: 本发明实现纤芯的截面扁平的保偏光纤，并且实现能够简单地进行制造的保偏光纤。保偏光纤(1)具备纤芯(11)、内侧包层(12)、两个应力赋予部(13a～13b)以及外侧包层(14)。内侧包层(12)陷入两个应力赋予部(13a～13b)的每一个。纤芯(11)的截面为扁平状，该扁平状的长轴方向为将两个应力赋予部(13a～13b)的排列方向。

公开(公告)号：CN109642983B

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201780052834.9

申请日：2017-05-30

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 平川圭祐 ,  市井健太郎 ,  林和幸

IPC: G02B6/036 ,  G02B6/024 ,  G02B6/30

Abstract: 本发明实现一种光纤，与CSMF熔接的熔接点处的连接损失充分变小。使内侧包层(12)的折射率与外侧包层(13)的折射率实质上相等，并且将上升掺杂剂在内侧包层(12)中的浓度规定为，基于该上升掺杂剂的折射率上升率为0.25％以上且0.5％以下。