公开(公告)号：CN115244656A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180018254.4

申请日：2021-02-02

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 伊东伴 ,  饭泉健 ,  盖尔·罗耶尔 ,  帕特里克·翁 ,  凯文·范德斯米森 ,  卡蒂亚·迪利伦特

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明关于研磨晶片等基板的研磨方法及研磨装置。此外，本发明关于记录有用于使研磨装置执行研磨方法的程序的计算机可读取记录介质。本方法使研磨台(3)旋转，并将基板(W)按压于研磨面(2a)来研磨基板(W)。研磨基板(W)的工序包含膜厚轮廓调整工序和研磨终点检测工序。膜厚轮廓调整工序包含如下工序：基于多个膜厚来调整基板(W)对研磨面(2a)的按压力，决定膜厚指标值达到膜厚阈值的时间点，该膜厚指标值是根据多个膜厚中的至少一个而决定的。研磨终点检测工序包含如下工序：测定用于使研磨台(3)旋转的转矩，并基于转矩决定研磨终点。