基板抛光的方法和装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100548577C

    公开(公告)日:2009-10-14

    申请号:CN200680002848.1

    申请日:2006-01-16

    CPC classification number: B24B37/30 B24B49/16

    Abstract: 本发明提供了一种用于优化抛光轮廓的抛光装置,其除了抛光量外还考虑到甚至如将被抛光的物体表面的温度以及抛光垫厚度这些参数。在控制单元CU的控制下抛光将被抛光的物体的抛光装置具有至少两个压紧部分,并且包括能够从每个所述压紧部分对将被抛光的物体施加任意压力的顶环,用于测量将被抛光的物体的抛光量的测量装置IM,以及监控将被抛光的物体的抛光条件的监控装置SM。控制单元CU根据一个模拟程序迫使抛光装置抛光将被抛光的物体,所述模拟程序基于所述测量装置的输出和所述监控装置的输出对所述顶环设定优化将被抛光的物体的抛光轮廓所需的加工压力。

    基板抛光的方法和装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101107097A

    公开(公告)日:2008-01-16

    申请号:CN200680002848.1

    申请日:2006-01-16

    CPC classification number: B24B37/30 B24B49/16

    Abstract: 本发明提供了一种用于优化抛光轮廓的抛光装置,其除了抛光量外还考虑到甚至如将被抛光的物体表面的温度以及抛光垫厚度这些参数。在控制单元CU的控制下抛光将被抛光的物体的抛光装置具有至少两个压紧部分,并且包括能够从每个所述压紧部分对将被抛光的物体施加任意压力的顶环,用于测量将被抛光的物体的抛光量的测量装置IM,以及监控将被抛光的物体的抛光条件的监控装置SM。控制单元CU根据一个模拟程序迫使抛光装置抛光将被抛光的物体,所述模拟程序基于所述测量装置的输出和所述监控装置的输出对所述顶环设定优化将被抛光的物体的抛光轮廓所需的加工压力。

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