公开(公告)号：CN101906664A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010196460.8

申请日：2010-06-03

Applicant: 株式会社电装 ,  LPE股份公司

Inventor： 小岛淳 ,  木藤泰男 ,  索尼娅·安吉利斯 ,  安布罗焦·佩斯纳提 ,  约瑟夫·塔伦齐

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C23C16/4402 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明的碳化硅单晶制造装置具备反应容器(10)、配置在反应容器(10)内的晶种(5)和加热容器(9)。晶种(5)被配置在反应容器(10)的上方，从反应容器(10)下方供给原料气体(3)。加热容器(9)相对于反应容器(10)被配置在原料气体(3)的流动路径上游侧。加热容器(9)具备中空筒状部件(9c)、原料气体入口(9a)、原料气体供给喷嘴(9b)和多个挡板(9d～9i)。原料气体入口(9a)向中空筒状部件(9c)内导入原料气体(3)。原料气体供给喷嘴(9b)将原料气体(3)从中空筒状部件(9c)向反应容器(10)中排出。多个挡板(9d～9i)在从原料气体入口(9a)到原料气体供给喷嘴(9b)之间被配置在原料气体(3)的流动路径上。

公开(公告)号：CN101906664B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201010196460.8

申请日：2010-06-03

Applicant: 株式会社电装 ,  LPE股份公司

Inventor： 小岛淳 ,  木藤泰男 ,  索尼娅·安吉利斯 ,  安布罗焦·佩斯纳提 ,  约瑟夫·塔伦齐

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C23C16/4402 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明的碳化硅单晶制造装置具备反应容器(10)、配置在反应容器(10)内的晶种(5)和加热容器(9)。晶种(5)被配置在反应容器(10)的上方，从反应容器(10)下方供给原料气体(3)。加热容器(9)相对于反应容器(10)被配置在原料气体(3)的流动路径上游侧。加热容器(9)具备中空筒状部件(9c)、原料气体入口(9a)、原料气体供给喷嘴(9b)和多个挡板(9d～9i)。原料气体入口(9a)向中空筒状部件(9c)内导入原料气体(3)。原料气体供给喷嘴(9b)将原料气体(3)从中空筒状部件(9c)向反应容器(10)中排出。多个挡板(9d～9i)在从原料气体入口(9a)到原料气体供给喷嘴(9b)之间被配置在原料气体(3)的流动路径上。