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发明公开
半导体器件及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN115411111A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210585166.9

申请日：2022-05-26

Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社

Inventor： 永田贤昌 , 岩桥洋平 , 铃木龙太 , 滨崎胜彦

IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括半导体元件。所述半导体元件具有半导体层(1)、第一导电类型层(2)、饱和电流抑制层(3，4)、电流扩散层(6)、基极区(7)、源极区(8)、沟槽栅极结构、层间绝缘膜(13)、源极电极(14)、漏极电极(15)和第二深层(5)。第一导电类型层设置在半导体层上方。设置在第一导电类型层上方的饱和电流抑制层包括第一深层(4)和JFET部分(3)。基极区设置在饱和电流抑制层上方。所述源极区和所述接触区设置在所述区域上方。每个沟槽栅极结构具有栅极沟槽(10)、栅极绝缘膜(11)和栅极电极(12)。第二深层设置在沟槽栅极结构之间并连接到第一深层。

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