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公开(公告)号：CN116741686A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310202682.3
申请日：2023-03-06
IPC: H01L21/68 , H01L23/544 , H01L21/02
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，其包括制备碳化硅基板(12)、生长外延层(50)和形成结构(20b、80)。所述碳化硅基板具有其上布置有凹陷形状的对准标记(20、20a)的上表面(12a)，并且垂直于上表面的垂直线(12s)相对于[0001]方向朝向[11‑20]方向倾斜。外延层在所述上表面生长并覆盖对准标记。该结构沿着所述上表面在[11‑20]方向上距离所述对准标记为间隔P的位置处形成在所述上表面上或上方。间隔P满足关系D/tanθ
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