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公开(公告)号：CN114762141A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080080179.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L41/35 , H04R17/00 , H04R31/00 , H01L41/113 , H01L21/265 , H01L21/266
Abstract: 进行以下步骤：准备具有多个芯片形成区域(101)的半导体晶片(100)；在半导体晶片(100)上形成薄层(110)；设薄层(110)中的构成芯片形成区域(101)中的各个元件的部分为元件构成部分(110a)，调整应力以使元件构成部分(110a)的应力成为规定值。并且，在调整应力的步骤中，进行以下步骤：在薄层(110a)上配置抗蚀剂(120)；利用形成有开口部(201)的光掩模(200)将抗蚀剂(120)曝光；将抗蚀剂(120)显影而在该抗蚀剂(120)中形成开口部；以抗蚀剂(120)为掩模进行离子注入；在将抗蚀剂(120)曝光的步骤中，利用基于在元件构成部分(110a)中产生的应力调整了开口部的比率的光掩模。
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公开(公告)号：CN111065889A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880054261.8
申请日：2018-08-02
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01C19/5762 , B81B3/00 , H01L29/84 , H03H9/24
Abstract: 振动陀螺仪具备：质量部(3)，以能够在相互正交的第1方向和第2方向上分别位移的方式而被支承；施振器(7)，使上述质量部在上述第1方向上振动；以及检测器(9)，检测上述质量部的上述第2方向的位移量。此外，上述质量部的上述第1方向的共振频率与上述第2方向的共振频率相等；上述第2方向的振动的Q值比上述第1方向的振动的Q值小。
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公开(公告)号：CN101191854B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200710193490.1
申请日：2007-11-27
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: G02B26/001 , G01B2290/25 , G01J3/26
Abstract: 一种Fabry-Perot干涉仪的光学多层反射镜，包括作为第二和第四高折射率层(5，9)的每者的侧壁提供的加强部分。分别将所述加强部分构造为支持覆盖所述第一和第二低折射率层(4，8)的每者的顶表面的第二和第四高折射率层的部分，并且经由所述第一和第二低折射率层(4，8)中的每者抵达所述第一和第三高折射率层。在凭借通过选择第一到第四高折射率层以及第一和第二低折射率层的材料获得高n比时，即使第一和第二低折射率层缺少机械强度，所述加强部分也有助于防止第二和第四高折射率层发生弯曲。因而，所述光学多层反射镜以宽高反射率波段为特征。
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公开(公告)号：CN111065889B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201880054261.8
申请日：2018-08-02
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01C19/5762 , B81B3/00 , H01L29/84 , H03H9/24
Abstract: 振动陀螺仪具备：质量部(3)，以能够在相互正交的第1方向和第2方向上分别位移的方式而被支承；施振器(7)，使上述质量部在上述第1方向上振动；以及检测器(9)，检测上述质量部的上述第2方向的位移量。此外，上述质量部的上述第1方向的共振频率与上述第2方向的共振频率相等；上述第2方向的振动的Q值比上述第1方向的振动的Q值小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112041688B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201980027259.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01P15/08 , B81C1/00 , G01C19/5783 , H01L29/84
Abstract: 在多个硅基板(11、13、21)中的至少1个，形成凹部(14、23)。此外，在多个硅基板中的至少1个，在从空间(30)的预定形成区域离开了的部分，形成硅氧化膜(12、22)，该硅氧化膜(12、22)形成有将预定形成区域包围并达到多个硅基板的外周的槽部(17、28)。进而，以将槽部覆盖的方式，将多个硅基板中的形成有硅氧化膜的硅基板与多个硅基板中的另一个利用经由硅氧化膜的直接接合而进行接合，形成气体排出路径(40)并形成多个硅基板及硅氧化膜的层叠构造，由凹部在层叠构造的内部形成空间。并且，通过热处理，将空间的内部的气体经由气体排出路径向层叠构造的外部排出。
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公开(公告)号：CN112041688A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980027259.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01P15/08 , B81C1/00 , G01C19/5783 , H01L29/84
Abstract: 在多个硅基板(11、13、21)中的至少1个，形成凹部(14、23)。此外，在多个硅基板中的至少1个，在从空间(30)的预定形成区域离开了的部分，形成硅氧化膜(12、22)，该硅氧化膜(12、22)形成有将预定形成区域包围并达到多个硅基板的外周的槽部(17、28)。进而，以将槽部覆盖的方式，将多个硅基板中的形成有硅氧化膜的硅基板与多个硅基板中的另一个利用经由硅氧化膜的直接接合而进行接合，形成气体排出路径(40)并形成多个硅基板及硅氧化膜的层叠构造，由凹部在层叠构造的内部形成空间。并且，通过热处理，将空间的内部的气体经由气体排出路径向层叠构造的外部排出。
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公开(公告)号：CN111725078B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010185159.0
申请日：2020-03-17
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/50
Abstract: 在半导体装置中，第一基板(10)和第二基板(40)通过绝缘膜(30)彼此接合。在第一基板(10)与第二基板(40)之间设置有气密室(50)，在该气密室(50)内封闭有感测部(20)。第二基板(40)具有在第一基板(10)和第二基板(40)的堆叠方向上贯通的通孔(61)，并露出第一基板(10)的第一表面(10a)。贯通电极(63)设置在第二基板(40)的通孔(61)的壁表面上，并与感测部(20)电连接。在位于气密室(50)与通孔(61)之间的位置处设置有排出路径(80)，用于将接合时产生的废气从气密室释放至通孔。
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公开(公告)号：CN111725078A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010185159.0
申请日：2020-03-17
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/50
Abstract: 在半导体装置中，第一基板(10)和第二基板(40)通过绝缘膜(30)彼此接合。在第一基板(10)与第二基板(40)之间设置有气密室(50)，在该气密室(50)内封闭有感测部(20)。第二基板(40)具有在第一基板(10)和第二基板(40)的堆叠方向上贯通的通孔(61)，并露出第一基板(10)的第一表面(10a)。贯通电极(63)设置在第二基板(40)的通孔(61)的壁表面上，并与感测部(20)电连接。在位于气密室(50)与通孔(61)之间的位置处设置有排出路径(80)，用于将接合时产生的废气从气密室释放至通孔。
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公开(公告)号：CN101191854A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710193490.1
申请日：2007-11-27
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: G02B26/001 , G01B2290/25 , G01J3/26
Abstract: 一种Fabry－Perot干涉仪的光学多层反射镜包括作为第二和第四高折射率层(5，9)的每者的侧壁提供的加强部分。分别将所述加强部分构造为支持覆盖所述第一和第二低折射率层(4，8)的每者的顶表面的第二和第四高折射率层的部分，并且经由所述第一和第二低折射率层(4，8)中的每者抵达所述第一和第三高折射率层。在凭借通过选择第一到第四高折射率层以及第一和第二低折射率层的材料获得高n比时，即使第一和第二低折射率层缺少机械强度，所述加强部分也有助于防止第二和第四高折射率层发生弯曲。因而，所述光学多层反射镜以宽高反射率波段为特征。
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