公开(公告)号：CN111344866B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201880058819.X

申请日：2018-09-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 登尾正人 ,  石子雅康 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 第2导电型的保护环(21)形成在从形成于基板(1)之上的由第1导电型的半导体构成的第1导电型层(2、60)的表面离开了的位置。由此，由保护环(21)与第1导电型层(2、60)形成的PN结的边界部成为从层间绝缘膜(10)离开的状态。因此，即使在PN结部产生电场集中，也由于层间绝缘膜(10)不与PN结部接触，因此能够抑制对层间绝缘膜(10)施加的电场强度。

公开(公告)号：CN111344866A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201880058819.X

申请日：2018-09-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 登尾正人 ,  石子雅康 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 第2导电型的保护环(21)形成在从形成于基板(1)之上的由第1导电型的半导体构成的第1导电型层(2、60)的表面离开了的位置。由此，由保护环(21)与第1导电型层(2、60)形成的PN结的边界部成为从层间绝缘膜(10)离开的状态。因此，即使在PN结部产生电场集中，也由于层间绝缘膜(10)不与PN结部接触，因此能够抑制对层间绝缘膜(10)施加的电场强度。