公开(公告)号：CN118575261A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202280089556.5

申请日：2022-12-20

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 渡部正和

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12

Abstract: 本说明书涉及具备在主面上具有主电极和控制电极的半导体元件的半导体装置，提供使控制电极较小的技术。本说明书公开的半导体装置具备在一方的主面形成有主电极和控制电极的半导体元件、以及供引线接合的端子基板。在端子基板的表面形成有键合端子，在端子基板的背面形成有中继端子，键合端子和中继端子导通。端子基板以使控制电极和中继端子接触的方式接合于半导体元件。键合端子的面积比控制电极的面积大。并且，在端子基板的背面设有台阶，元件基板的侧面与该台阶抵接。通过将引线所接合的键合端子设置于与半导体元件不同的基板(端子基板)，能够使控制电极较小。

公开(公告)号：CN118633146A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202280089557.X

申请日：2022-11-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 渡部正和

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 开关器件(10)的制造方法，具有以下工序：在具有漂移区域(38)的半导体衬底(12)中形成源极区域(30)和体区域(34)的工序；在具有上述漂移区域的上述半导体衬底的上述上表面形成具有开口部(52)的掩模(50)的工序；在形成了上述掩模后经由上述开口部向上述半导体衬底注入p型杂质从而在上述漂移区域内形成电场缓和区域(36)的工序；在形成了上述电场缓和区域后在上述开口部内形成栅极沟槽(14)的工序，该工序是以使在上述栅极沟槽的下侧残留上述电场缓和区域的方式形成上述栅极沟槽的工序；以及在形成了上述栅极沟槽后形成栅极绝缘膜(16)和栅极电极(18)的工序。

公开(公告)号：CN117581382A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202180100196.X

申请日：2021-12-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 渡部正和 ,  平林康弘

IPC: H01L29/78

Abstract: 半导体装置具备半导体层(10)，该半导体层具有形成有元件构造的元件区域(101)和位于元件区域的周围的末端区域(102)。末端区域具有：多个保护环(16)，设在半导体层的第1深度范围；以及降低表面电场层(17)，设在半导体层的与第1深度范围不同的第2深度范围，在半导体层的深度方向上以与多个保护环对置的方式配置。多个保护环的电场强度分布和降低表面电场层的电场强度分布的从末端区域的内周侧朝向外周侧的高低关系相反。